華碩 ARES III 國外搶先實測,溫度略高於公板不如預期理想

華碩 ARES III 國外搶先實測,溫度略高於公板不如預期理想

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之前我們提到了華碩 ARES III 終於定案準備上市的消息,不過在正式上市前,日本 4Gamer.net 搶先做了一連串非常詳盡的測試,其中包含各項基準軟體測試,還有與同為水冷架構,不同設計的公板卡進行比對。從數據結果中可以發現到,ARES III 表現並不如預期中理想,甚至在溫度表現上略高於公板卡。

ARES III 限量版採特殊外盒設計

ARES III 採用特製的鋁合金金屬收納盒設計,與公板卡採用類似的樣式,不過面板上則是稍作修改,同時在右下角也放上 ARES 的金屬銘板,整體視覺設計上除了簡約大方之外,內容物緩衝保護也非常嚴密。

打開後可以看到內容物分別位於兩側蓋板上,上蓋板的部份提供轉接線材,還有光碟等內容物。轉接線材部份採用紅黑配色的單線編織網設計,有別於一般將 8 條線都捆在一起的粗糙手法,雖然視覺上比較好看,實質效益仍得視線材的品質而定。

下蓋板的部份就是 ARES III 顯示卡,另外華碩提供了 1 對水冷接頭與水堵,還有六角鈑手與 1 個 ROG 隨身碟。較不完善的部份在於所附送配件,僅提供 10/13mm 水冷接頭,這個規格其實就是我們俗稱的 3 分管,管壁厚度為 3mm 的薄管規格。並沒有提供 4 分管或者是相容度更高的寶塔接頭,而是選擇了外觀較好看,但相容度趨近於零的快擰規格。

另外在水堵的部份也未採用鍍黑鎳特殊色,維持 EKWB 原先的白鎳,雖不影響功能,但從這些小細節中,可以發現 ARES III 並沒有將 ROG 品牌色彩發揮到極致。與一般品不同的地方,在於水冷上蓋採取大規模客製化,從外觀可以看到水冷頭是採用銅底、壓克力上蓋組成,而在壓克力之上還有 1 片 CNC 鋁板,刻蝕 ROG Logo 與 ARES 鏤空字樣。

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PCB 重新設計,針對水道處理

拆解後的顯示卡,可以發現 2 顆核心都位於水平中線以下,為什麼不放在中線上呢?觀察水冷頭的水道設計可以發現水是由左上方進入,將核心放於中線以下,可以增加水在銅底中的接觸距離、受熱程度,此外各元件的分布位置也較好處理。

在中央的 VRM 迴路可以觀察到刻意採用較扁平的電感,將空間讓給水冷頭水道使用。不過在主要的核心 MOSFET 的部份則是無水道設計,這部份需透過銅底導熱,並未擁有水冷液的直接降溫處理。那是否有可能針對 MOSFET 開闢 2 條水道或者取消中央水道設計?其實這不是不可能,不過以 MOSFET 較窄的面積與為保持冷頭剛性因素,水道將會非常的狹隘,不只造成第 2 顆核心溫度可能上升之外,水阻的部份也會增加。

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效能實戰,略強於公板

其實效能即使不經過測試,從規格就可以發現 ARES III 必定強於公板卡,兩者核心時脈本身即具有小幅差異。不過測試中可以發現,實際效能落差幅度並不高,僅提昇了不到 5% 的效能。

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溫度不如預期,反落後公板 1D 水冷排

另外在溫度表現方面,4Gamer.net 所測試出來的結果反而令人跌破眼鏡,除了待機溫度不如公板之外,在實際操作 3DMark 過程中也是高於公板卡的溫度不少,幅度約為 6、7 度。

理論上採用 2D 水冷排的 ARES III,溫度表現要優於公板的 1D 水冷排,但實際上卻是有著如此高的落差。其實原因不難從幾個地方解析出來,第一公板卡具備雙泵,流速遠高於單泵的 ARES III,不過實際流速仍然需要外接流速計才能得知精確數據。第二是公板卡並未加入 VRM 解熱區域,這點在我們之前的所有顯示卡測試中,都可以發現 VRM 溫度並不亞於核心溫度,在部分情況下更勝於核心。最後則是風扇的部份,由於測試方並未提供兩者風扇數據,所以並無法得知是否具備大幅度落差,另外在鰭片密度上,該風扇轉速是否合適,則是另一個可考慮的問題。

不過純水冷的顯示卡,最大優勢在於它可以按照使用者的需求進行分配,冷排也並不侷限在 2D 上,只要環境許可,4D 大型水冷排也不無可能,屆時表現只會更佳,這一點是公板水冷卡在設計上無法超越的高牆。

華碩 ARES III 國外搶先實測,溫度略高於公板不如預期理想華碩 ARES III 國外搶先實測,溫度略高於公板不如預期理想▲耗電量 ARES III 大約要高出 40W 左右,在溫度上則是略高 6、7 度左右。

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