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A0bc7527da8e00e0e9df471224a1e1c2 高通驍龍 820 正式上市時間是去年年底,它是高通首款採用自主設計 ARM 64 位架構的處理器,搭載了四個 Kryo CPU,並且採用了當時先進的三星 14nm FinFET 工藝生產。

當然高通驍龍 820 還有很多故事。比如去年 VR、AR 在技術市場上相當活躍,高通也提出了驍龍 820 會為這些運算做出單獨優化,用以達到更好的效果。

從高通驍龍 820 的生命週期進度來看,這款旗艦晶片已經完成了自己的使命。去年開始不管是從性能、網路等多個方面看,高通驍龍 820 已成為了主流 Android 旗艦機的當家處理器。

而現在,高通驍龍現在需要新的旗艦處理器。

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高通剛剛公佈的旗艦處理器驍龍 835 就是用來衝擊明年旗艦機的新品。根據高通的新聞稿,這次的驍龍 835 處理器是和三星聯合開發的,並且使用了最新的三星 10nm 的製程。

高通介紹驍龍 835 時這樣提到:

今年 10 月,三星宣佈率先在業界實現了 10nm FinFET 工藝的量產。與其上一代 14nm FinFET 工藝相比,三星 10nm工藝可以在減少高達 30% 的晶片尺寸的基礎上,同時實現性能提升 27% 或高達 40% 的功耗降低。透過採用 10nm FinFET 工藝,驍龍 835 處理器將具有更小的晶片尺寸,讓 OEM 廠商能夠在即將發佈的產品中獲得更多可用空間,以支援更大的電池或更輕薄的設計。製程的提升與更先進的晶片設計相結合,預計將會顯著提升電池續航。

而在這次,另外提到的一個特性是——全新升級的 Quick Charge 4.0 快充將會比上一代快充還要快 20%……

835

高通 Quick Charge 4 可以透過僅五分鐘的充電,將手機使用時間提高到五個小時左右。透過 Qualcomm Technologies 的平行充電技術 Dual Charge,與使用 Quick Charge 3.0 相比,用戶可享受到高達 20% 的充電速度提升,以及高達 30% 的效率提升。

Quick Charge 4 還加入了對 USB Type-C 和 USB-PD 的支援。

除此之外,目前還沒有得到關於高通驍龍新一代旗艦 835 的更多規格。不過隨著這個新聞的公佈,相信高通會陸續放出驍龍 835 的一些細節。

同樣,這次驍龍 835 的命名也非常有趣——按道理高通應該公佈最新的驍龍 830 才對,雖然這個處理器晶片很可能就是之前傳出的驍龍 830,但這種跳數字的更新的方式也讓人想到了今年的三星 Galaxy Note 7 手機。目前也並不知道高通採用這種命名的緣由。

根據高通的說法,高通驍龍 835 處理器已經開始進入量產階段,預計這款產品會在 2017 年上半年正式上市。當然你已可以想像到高通驍龍 835 將成為明年的旗艦機必備處理器。

作為旗艦處理器,去年高通驍龍 820 不光進入到各大旗艦手機,還加入了火熱的 VR 概念。今年的熱點是人工智慧,不知道是否也會加入這樣的元素?

 

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