Intel承認在EUV曝光上犯錯:當年太自信導致10奈米製程多次跳票,任由AMD坐大

Intel承認在EUV曝光上犯錯:當年太自信導致10奈米製程多次跳票,任由AMD坐大

最近幾年,台積電及三星在半導體工藝上超越了Intel,後者在14nm節點之前都是全球最先進的半導體公司,然而在10nm節點面臨各種困難,給了對手AMD可乘之機。

Intel在這個過程中是如何被超越的?CEO格爾辛格日前接受了採訪,特別提到了Intel在EUV曝光技術上的選擇錯誤。

在EUV技術研發上,Intel是全球重要推手,ASML研發EUV曝光機也得到了Intel的不少幫助,但是Intel在10nm節點沒有選擇EUV曝光,而是嘗試了新的SAQP四重曝光技術。當初Intel的目標是不依賴EUV曝光機,也能靠自力生產先進製程。

Intel承認在EUV曝光上犯錯:當年太自信導致10奈米製程多次跳票,任由AMD坐大

格爾辛格表示,當初這個目標是很好的,然而SAQP曝光工藝非常複雜,成本高,隨著時間的延續,Intel站在了EUV錯誤的一邊,格爾辛格表示,雞蛋不用放在同一個籃子裡,當時Intel應該至少有一個平行的EUV戰略才對。

格爾辛格所說的這個事,其實就是過去幾年中Intel在10nm製程上多次跳票的關鍵,這兩年才算是搞定了10nm的量產,現在改名為Intel 7。

至於EUV技術,Intel現在也重視起來了,跟ASML的合作很好,今年底量產的Intel 4就是Intel首個EUV技術產品,用於首發量產第14代Meteor Lake,明年上市。

10nm多次跳票順帶害了LG

值得一提的是,當年Intel在10nm製程上多次跳票,也順帶害了當年相信Intel代工的LG手機晶片

在LG還有做手機的時候,當時原本爆料指出,LG 未來的 NUCLUN 晶片將採用英特爾 10nm 製程,搭載最新 A75 和 A55 CPU 核心。要知道,高通準備中的下一代旗艦驍龍 835 採用的是三星 10nm 工藝,但是英特爾的 10nm 技術更先進,密度和台積電、三星的 7nm 工藝相當。

然而這一次,英特爾不但辜負了 LG,同時也辜負了自己。因為製程技術難產,英特爾 10nm 製程連續跳票。

Intel承認在EUV曝光上犯錯:當年太自信導致10奈米製程多次跳票,任由AMD坐大

本來計畫 2015 年亮相的英特爾 10nm,先是延到 2019 年,再一度跳票又到了 2021 年底——現在的第 12 代處理器。在這期間,英特爾曾推出初代的 10nm 處理器 i3-8121U,但表現糟糕,上馬 10nm 的計畫不得不一拖再拖。

拉扯之間,LG 第三代手機晶片 NUCLUN 就此石沉大海。而不久之後,他們就宣布停止生產手機。

cnBeta
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