三星完成 1c nm DRAM 製程開發，正式邁向量產階段

根據韓媒 ETNews、AJUNEWS 及 fnnews 報導，三星電子已在昨日（當地時間）獲得對其第六代 10 奈米級 DRAM 製程「1c nm」的量產準備批准（PRA），這代表該製程技術正式完成開發，將進入量產階段。

三星最新的 HBM4 12Hi 高頻寬記憶體即將採用 1c nm DRAM Die，而這項技術的量產進度預期將顯著影響三星半導體部門（DS部門）未來一至兩年的營收表現，備受市場關注。

在此之前，SK hynix 與 Micron 也分別完成第六代 20nm 至 10nm 級製程的 DRAM 技術開發，顯示三大記憶體原廠在邁向更先進的製程節點上持續競爭，正式逼近 10 奈米關口。

隨著AI應用對高效能記憶體需求急速提升，DRAM 製程持續縮小將成為提升密度與效率的關鍵。而1c nm製程技術的推進，將成為記憶體產業競爭力與市佔率變化的重要轉捩點。