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三星完成 1c nm DRAM 製程開發,正式邁向量產階段

三星完成 1c nm DRAM 製程開發,正式邁向量產階段

根據韓媒 ETNews、AJUNEWS 及 fnnews 報導,三星電子已在昨日(當地時間)獲得對其第六代 10 奈米級 DRAM 製程「1c nm」的量產準備批准(PRA),這代表該製程技術正式完成開發,將進入量產階段。

三星最新的 HBM4 12Hi 高頻寬記憶體即將採用 1c nm DRAM Die,而這項技術的量產進度預期將顯著影響三星半導體部門(DS部門)未來一至兩年的營收表現,備受市場關注。

在此之前,SK hynix 與 Micron 也分別完成第六代 20nm 至 10nm 級製程的 DRAM 技術開發,顯示三大記憶體原廠在邁向更先進的製程節點上持續競爭,正式逼近 10 奈米關口。

隨著AI應用對高效能記憶體需求急速提升,DRAM 製程持續縮小將成為提升密度與效率的關鍵。而1c nm製程技術的推進,將成為記憶體產業競爭力與市佔率變化的重要轉捩點。

 

 

KKJ
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吳同學
1.  吳同學 (發表於 2025年7月02日 16:03)
三星成功開發1C奈米製程DRAM,將顯著提升記憶體密度與效能,預計2025年下半年開始量產。這項創新技術對高效能運算及AI運算需求極大的娛樂城平台來說,是重要的硬體升級,有助提升系統反應速度與穩定性。三星持續領先半導體技術,確保娛樂城在高速數據處理及多工運算環境下,能夠保持卓越表現與用戶滿意度,展現其在先進記憶體市場的強大競爭力。
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