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293bd15ed377d121ce2c458bd7d8f3d8 近來無論是快閃記憶體或是動態記憶體,都因為生產無法應付市場需求,價格時常維持在高點,因此有任何新產能開出都是好消息。Samsung 正式量產第二代 10 奈米等級 DDR4 記憶體,出廠預設值即可達 3600Mbps,並應用新技術克服微縮製程帶來的負面效應。

外行看新聞炒股,內行則看新聞吸收技術新知,Samsung 近日正式發表採用第二代 10 奈米等級製程(1y-nm)量產 DDR4 記憶體,預設速度可達 3600Mbps,第一代 C-die 則為 3200Mbps。而現今備受推崇的 Samsung B-die,則採用 20 奈米等級生產,出場預設速度也僅有 2666Mbps,高速版均為模組廠商自行篩選。

第二代 10 奈米等級微縮製程所製造的 8Gb DDR4 記憶體顆粒,相較第一代大約增加 30% 的產量,能源效率也進步 10%~15%。微縮製程當然也不僅僅只有好處,也會帶來一些負面影響,譬如動態記憶體就會遇到電容器儲存電荷不足,無法判定 0 與 1 的問題,周遭材料的寄生電容也會影響判斷精確程度。

samsung 1y-nm ddr4
▲Samsung 第二代 10 奈米等級 DDR4 記憶體封裝顆粒。

Samsung 第一代 10 奈米等級製程先行導入蜂巢式結構,增加各電容器之間的距離加大電荷儲存量,第二代 10 奈米等級製程再導入 2 種技術,其一為 high-sensitivity cell data sensing system,使用更高敏感度的電路設計判斷電容器狀態,另外一種 air spacer 則是去除電容器旁邊無謂的材料,降低位元線的寄生電容量。數種技術加起來,使得 Samsung 還不需要導入昂貴的 EUV 極紫外光微影設備,就可以先行生產第二代 10 納米等級記憶體。(10 奈米等級=10nm~19nm)

dram cell honeycomb structure
▲蜂巢狀結構動態記憶體示意圖。(圖片來源:2015 IEDM Slide 1: DRAMs Poised for 20nm and Below

air spacer
▲air spacer 示意圖。(圖片來源:A Look Ahead at IEDM 2015

 

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