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557c63f64e561a925c90a5b889b2f466 Samsung 今日發出新聞稿,表明旗下第五代 3D 立體堆疊 V-NAND 已進入第五代並正式量產,第五代 V-NAND 堆疊層數超過 90 層,並且也是首度使用 Toggle DDR 4.0 傳輸介面的 NAND 快閃記憶體,單顆封裝的傳輸速度即可達 1.4Gb/s,為前一世代 64 層的 1.4 倍。

目前大量使用在 SSD 的 NAND 快閃記憶體,各家均採用 3D 堆疊製造方式,提升單位面積的儲存容量。在 NAND 快閃記憶體市場佔有一席之地的 Samsung Electronics,宣布自家第五代 V-NAND 快閃記憶體正式進入量產階段,堆疊層數超過 90 層,而前一代為 64 層,前一代產品已廣泛使用在旗下的 SSD 產品線之中。

目前提及的第五代 V-NAND 單一晶粒容量為 256Gb,每個 cell 可以儲存 3bit 資訊,也就是大家孰悉的 TLC 紀錄模式。cell 依然使用 CTF(Charge Trap Flash、電荷儲存式快閃記憶體),而非 Intel/Micron 陣營的 Floating Gate(浮極閘),所需運作電壓從前一代的 1.8V 下降至 1.2V,更具能源效率,讀寫反應速度同時下降至 50μs 和 500μs。

Samsung Electronics 正式量產第五代 V-NAND,採用 Toogle DDR 4.0 速度達到 1.4Gbps
▲Samsung Electronics 開始量產第五代 V-NAND,3D 堆疊層數超過 90 層,並率先使用 Toggle DDR 4.0 傳輸介面。

第五代 V-NAND 3D 堆疊超過 90 層,內含超過 850 億個 cell,並透過原子層沉積製程的最佳化,產量相較過去提升 30%。最佳化的製程可讓每層高度減少 20%,降低 crosstalk(串音干擾)的同時,也就代表減少去除干擾的資料處理量。該世代 V-NAND 也採用最新款 Toggle DDR 4.0 傳輸介面,256Gb 容量版本即可擁有 1.4Gbs 傳輸速度。

Samsung Electronics 在未來也預計將會推出 1Tb 容量版本的 V-NAND,以及 QLC 紀錄模式的版本。而為了市場對於大容量產品的需求,廠商表示會盡快拉高第五代 V-NAND 的生產速度,但未表明將會先使用在何種產品線身上。

 

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