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588edde9ba4c4b7a7c293b5f9019ae69 作為 Micron 記憶體通路品牌的 Ballistix,近期除了推出旗下第一款支援 RGB LED 燈光效果的 Ballistix Tactical Tracer RGB,也與 Asus TUF Gaming 策略聯盟推出 Ballistix Sport AT DDR4 記憶體,最新款 4 支 8GB DDR4-3000 32GB Kit 套裝讓消費者插好插滿記憶體插槽,並同時適用 HEDT 平台。

TUF Gaming 輕量電競

電競產品當道,Asus 除了 ROG 和 ROG STRIX 之外,原本 TUF 系列主機板也變身成為 TUF Gaming,強調耐用性與輕量電競訴求,近期更聯合其它零組件與週邊設備製造商,推出 TUF Gaming Alliance 策略聯盟,首先強調的就是與 TUG Gaming 系列主機板相容性,接著就是具備一致性的外觀設計。

身為記憶體儲存大廠 Micron 美光,不意外也加入這個策略聯盟,並依據此聯盟的定位,以記憶體品牌 Ballistix Sport 入門級距推出 AT 系列產品(AT 為 Asus TUF 之意),以自家製造的記憶體品質加上 TUF Gaming 灰黃線條設計外觀,提供消費者穩定且美觀的產品。本次編輯部收到的產品規格為 DDR4-3000、8GB x 4 共 32GB 的 4 條模組套裝。

Ballistix Sport AT DDR4 8GB x 4 32GB Kit 依然採用容易打開的膠殼包裝,由於包裝 4 條記憶體模組而顯得較厚
▲Ballistix Sport AT DDR4 8GB x 4 32GB Kit 依然採用容易打開的膠殼包裝,由於包裝 4 條記憶體模組而顯得較厚。

規格型號以貼紙方式貼於外包裝右上角,並加上 TUF Gaming Alliance 標誌
▲規格型號以貼紙方式貼於外包裝右上角,並加上 TUF Gaming Alliance 標誌。

背部同樣使用正體中文在內的多國語言標示特色,反白 SPORT 標誌的同時,也連帶介紹 Ballistix 尚有 TACTICAL、ELITE 等級產品
▲背部同樣使用正體中文在內的多國語言標示特色,反白 SPORT 標誌的同時,也連帶介紹 Ballistix 尚有 TACTICAL、ELITE 等級產品。

Micron Crucial Ballistix Sport AT BLS4K8G4D30CESTK 規格

  • 記憶體:DDR4
  • 容量:8GB x 4
  • 規格尺寸:DIMM
  • 等效時脈:2400MHz、3000MHz(XMP 2.0)
  • 時序:16-16-16-39、17-19-19-38(XMP 2.0)
  • 電壓:1.2V、1.35V(XMP 2.0)

4 條記憶體模組套裝

這組記憶體模組套裝選擇 4 條 8GB DDR4-3000 模組組成 32GB,而為了迎合 TUF Gaming 外觀設計,每條記憶體模組均覆蓋鐵灰色陽級處理散熱片,散熱片多處施以縷空與不規則切割外觀,再加上黃色、黑色等線條,中央再貼上「BALLISTX by Micron」字樣貼紙。

包裝內部共有 4 條 8GB DDR4-3000(XMP)記憶體
▲包裝內部共有 4 條 8GB DDR4-3000(XMP)記憶體。

每條記憶體模組均覆蓋鐵灰色陽級處理散熱片,再加上黃色、黑色等線條裝飾,符合 TUF Gaming 外觀意象
▲每條記憶體模組均覆蓋鐵灰色陽級處理散熱片,再加上黃色、黑色等線條裝飾,符合 TUF Gaming 外觀意象。

記憶體模組另外一面還貼上安規、規格資訊貼紙
▲記憶體模組另外一面貼上安規、規格資訊貼紙。

由於 Ballistix Sport AT 為入門款式,DDR4-3000 的時序稍高,安排 17-19-19-38
▲由於 Ballistix Sport AT 為入門款式,DDR4-3000 的時序稍高,安排 17-19-19-38。

記憶體模組散熱片頂端也有印製黃色線條
▲記憶體模組散熱片頂端也有印製黃色線條。

將其中 1 條記憶體的散熱片小心卸下,可以觀察到使用 Micron 自家記憶體顆粒編號 C9BJF,透過解碼器可以得知為 CT40A1G8WE-75H:D,單顆封裝容量為 8Gb,1 條記憶體模組焊上 8 顆組成 8GB/single rank 形式。-75 表示該記憶體時脈週期為 0.75ns,換算為等效時脈 DDR4-2666。

從側邊觀察,記憶體顆粒均安排在電路板同一面
▲從側邊觀察,記憶體顆粒均安排在電路板同一面。

記憶體採用編號 C9BJF 顆粒,解碼結果為 CT40A1G8WE-75H:D
▲記憶體採用編號 C9BJF 顆粒,解碼結果為 CT40A1G8WE-75H:D。

該顆粒表面最高運作溫度為 95℃,tREFI 更新間隔為 3.9μs,若是運作溫度在 85℃ 以下,則受惠於電荷流失情況降低,能夠延長至 7.8μs。內部結構為 64Mbit x 8I/Os x 16banks,並以 4 個 bank 組成 1 個 bank group。透過 Thaiphoon Burner 讀取 SPD 資訊,則顯示 MT40A1G8WE-75E:D,原生 DDR4-2666 等效時脈,-75E 表示 CL 值可以縮短至 18,而非 -75 的 19,但是燒錄的 JEDEC 等效時脈僅到 DDR4-2400,XMP 規範才出現 DDR4-3000 資訊。

Thaiphoon Burner 讀取的 SPD 資訊,雖然是原生 DDR4-2666 顆粒,但是相容 JEDEC 的等效時脈僅有 DDR4-2400;按照該廠往例,不同時脈寫入多組時序增強相容性,等效時脈 DDR4-2400 甚至出現 9 組
▲Thaiphoon Burner 讀取的 SPD 資訊,雖然是原生 DDR4-2666 顆粒,但是相容 JEDEC 的等效時脈僅有 DDR4-2400;按照該廠往例,不同時脈寫入多組時序增強相容性,等效時脈 DDR4-2400 甚至出現 9 組。

1Gb x 8I/Os 結構記憶體功能區塊圖
▲1Gb x 8I/Os 結構記憶體功能區塊圖。(點圖放大)

 

(下一頁:AMD、Intel 雙平台,主流與 HEDT 市場全面測試)

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