588d3f4a1c24958f6a79d5490047fab0 Intel 在日前的法說會上表示,將在明年推出使用 3D 堆疊封裝技術的快閃記憶體,新的封裝技術可使儲存容量加倍。Intel 宣稱可提供比目前已投入市場的 3D NAND Flash 產品,還要高上兩倍的密度,此舉形同是對 Samung 下戰帖。 

快閃記憶體的 3D 堆疊技術,是讓記憶體顆粒的電晶體堆疊從上而下分為多層,Intel 明年將推出的 3D 晶片,與現行 Samsung 固態硬碟使用的 V-NAND Flash 晶片一樣,都可分為 32 層,但 Intel 宣稱他們的產品有兩倍以上的記憶位元(達到 256Gbits),也就是在每一記憶顆粒上可達到 1TB(32GB x 32 層堆疊 = 1TB)容量。

▲ Intel 副總裁 Rob Crook 手上拿的就是 1TB 容量 3D NAND Flash。(資料來源:Tweak Town

Intel 表示新型 3D NAND Flash 晶片會使用大於 20nm 的製程,另外晶片生產是由 Intel 和 Micron 共同投資的 IMFT(IM Flash Technologies)負責,並在美國猶他州的工廠進行 3D 堆疊封裝。

雖然快閃記憶體儲存裝置比使用磁碟盤的儲存裝置更快、更有效率,但是每單位儲存成本高上太多。Intel 認為若使用新封裝技術,將單一記憶體顆粒的儲存容量翻倍,可以再次壓低快閃記憶體成本,讓固態硬碟之類產品應用更加普及。

Intel 在美國的法人說明會中表示,該公司的 3D 堆疊技術,已能在兩毫米厚的快閃記憶體晶片中塞入 1TB 容量。Intel 副總裁兼非揮發性記憶體解決方案(Non-Volatile Memory Solutions)總經理 Rob Crooke 說:「再過不久,我們就不需要在為硬碟儲存空間能做多大的問題而煩惱」,未來兩年內 Intel 還計畫要在企業級產品線上推出容量超過 10TB 的固態硬碟。

▲除了要推出 1TB 的 NAND Flash 外,也計畫要推出大於 10TB 的固態硬碟。(資料來源:Tweak Town

Rob Crook 還說:「不久的未來,使用快閃記憶體裝置的儲存空間,最少都可以 TB 的單位來計算,而且成本的控制會越來越漂亮。例如現在很流行的二合一平板電腦,你想要有多大的儲存空間就能有多大。」

Rob Crook 最後也表示,目前所有已售出的電腦系統中,只有 20% 儲存裝置是使用快閃記憶體儲存方案,Intel 計畫要在 2018 年讓快閃記憶體儲存方案,分別在筆記型電腦提升到 50%、伺服器達到 35% 占有率。

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