6ae9888314142a5874ad8a9e19e502b4 Samsung 發表第 2 款搭載 3D V-NAND 的固態硬碟 850 EVO,與首個應用 3D V-NAND 顆粒的 850 PRO 相較下,850 EVO 延續 840 EVO 設定,同樣採用 TLC 顆粒。此舉將價格壓低到每 GB 只要 1 美元,明顯較 840 EVO 來得吸引人。

Samsung 850 EVO 產品線將會推出 120、250、500GB 與 1TB 版本,官方規格標示循序寫入速度皆可達到 520MB/s,另外在循序讀取速度也有 540MB/s。除了現行 2.5 吋、7mm 高度、SATA 6Gb/s 介面產品,Samsung 也計畫在明年推出 mSATA 和 M.2 介面版本,一口氣將 3D V-NAND 固態硬碟產品線擴大。

▲ 除了 SATA 介面外,SSD 850 EVO 也會拓展到 mSATA 與 M.2 產品線。

官方表示 850 EVO 比起上一代 840 EVO 有更好的耐用性,這要歸功於 Samsung 自家 3D V-NAND 堆疊封裝技術與 40nm 製程,堆疊封裝可以增加單一顆粒的容量,而 40nm 舊制程技術可使 Cell 單元之間的干擾變小,增加 TLC 顆粒先天不良的寫入次數。附帶一提,850 EVO 的記憶體顆粒是使用 Samsung 第二代 3D V-NAND Flash 技術生產,單一顆粒堆疊數量最多能達到 32 層。

▲Samsung 是全球最早推出 3D 堆疊封裝記憶體應用產品的廠商,第二代的 3D V-NAND 可堆疊到 32 層,大大增加了容量。

850 EVO 除了 1TB 版本是沿用舊款 MEX(Cortex-R4 400MHz、3 核心)控制器外,其餘款式皆使用新設計的 MGX 控制器,不過 Samsung 並沒有透漏關於 MGX 控制器的細節。得留意,那超過 520MB/s 的寫入速度是靠 TurboWrite 技術,以及顆粒內部分 SLC 單元加速來達成。而官方保證寫入耐用度方面,120 與 250GB 版本為 75TBW,500GB 與 1TB 版本則為 150 TBW,實際使用的耐久度應會更長。

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安安
2.  安安 (發表於 2014年12月11日 11:41)
※ 引述《快雪時晴》的留言:
> Samsung繼續堅持TLC路線的話
> 利潤是增加了
> 但名聲也臭了
你可以參考一下 Tech Report 的這一篇 http://www.techbang.com/posts/21368-computer-king-consumer-solid-state-drive-durability-experiment-is-beyond-2pb-of-read-write
TLC 顆粒與 SSD 的實際使用耐久度,還是有很多的方法可以延長的(控制器與備用的磁區),且這顆 850 EVO 用的是 40nm 的 3D 堆疊 Flash,抹寫次數在理論上也比較好一些,不過這些都還有待實際的驗證。

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