DRAM 與 NAND Flash 供需失衡,缺貨、漲價恐將維持到今年底

DRAM 與 NAND Flash 供需失衡,缺貨、漲價恐將維持到今年底

ADVERTISEMENT

自去年第三季起,動態隨機存取記憶體與快閃記憶體,紛紛傳出供應量吃緊、合約價格上揚的消息。事實如此,第四季報價明顯往上攀升,市場調查研究單位當時預估漲勢會維持到今年初。不過第一季才剛開始,市場供需失衡問題似乎更加嚴重,缺貨與漲價情況有可能維持到今年底。

動態隨機存取記憶體與快閃記憶體持續喊漲,主要原因是市場各式需求大增,其次為晶圓廠產能策略調整。現今有太多電子裝置會用到這兩類產品,智慧型手機的配備規格直逼個人電腦,是這波漲勢關鍵之一。像旗艦機種所配備記憶體,3~4GB 容量算是基本值,有些廠商更喊出要直上 8GB,而內部儲存空間 64 甚至 128GB 也司空見慣。

除了智慧型手機需求大增,先前我們曾提過如伺服器市場,在 2016 年的需求量轉趨強勁,這和智慧型手機更加普及化有所關聯。像是大家日常所使用 Facebook 等各式網路服務,隨著使用者人數與上傳內容數量增加,服務商自然有擴建機房設備的必要。伺服器少不了記憶體模組,甚至是極大量的儲存設備,可見這波漲勢環環相扣。

DRAM 與 NAND Flash 供需失衡,缺貨、漲價恐將維持到今年底
▲ DRAMeXchange 最新動態隨機存取記憶體合約價格參考資訊。(引用自 DRAMeXchange)

各式動態隨機存取記憶體的合約價格,最近幾個月以來的平均漲幅達 15~30% 不等,雖然市場供需失衡,晶圓廠想要增加產能也有些分身乏術。被指是動態隨機存取記憶體漲價主要推手的 Samsung,據悉絕大多數產能已經由自家手機,以及 Apple 等廠商所包下。想當然耳,還可以供應其他手機廠、伺服器與個人電腦記憶體的產能,自然是相對有限。

Samsung 在半導體製程轉換,以及生產良率等方面都占有相對優勢,較 Micron、SK hynix 等競爭對手來得順利又早。因此即便其他廠商想盡辦法擴充產能,看似能改善市場供需失衡問題並增加營收,基於成本因素實質獲利卻不見得會有多麼理想。想當然耳,其他廠商自然不會去做這種殺敵一千、自傷八百的舉動,倒不如沾光坐收漁翁之利。

DRAM 與 NAND Flash 供需失衡,缺貨、漲價恐將維持到今年底
▲ DDR4 模組零售通路市場參考價格資訊。以 Micron DDR4-2133 8GB 模組為例,去年 6 月底價格僅 850 元,現在已經漲到 1,429 元,漲幅約為 68% 之多。(引用自 原價屋)

快閃記憶體供需失衡同理,尤其晶圓廠想要增加供應量也不是那麼容易,畢竟產能和動態隨機存取記憶體有連動關係式。再者,Samsung、Micron、Toshiba、SK hynix 幾大廠,近來陸續積極加速轉進 3D NAND 製程世代。但是過程當然沒有那麼順利,而且各家目前所能做到的堆疊數量不一,以致實際供應量說不上是很充裕。

更甚者,為了增加 3D NAND 產能與出貨量占比,廠商還策略性減少傳統 2D 架構產品供應量。這跡象在去年中即可察覺,上、下游市場不斷傳出缺貨的消息,這讓下游的固態硬碟製造商只能減產,並且加速開案導入 3D NAND 因應。這問題也被預估將會加重,2D NAND 在總出貨量總占比,今年下半年可能剩下不到 50%。

DRAM 與 NAND Flash 供需失衡,缺貨、漲價恐將維持到今年底
▲ DRAMeXchange 最新快閃記憶體合約價格參考資訊。(引用自 DRAMeXchange)

總而言之,動態隨機存取記憶體與快閃記憶體漲聲響起,影響範圍可謂相當全面性。即使是一再被唱衰的個人電腦,記憶體模組價格老早已經漲了,至於固態硬碟是製造商硬撐著,可預期今年價格應該難以再創新低。眼看農曆年即將到來,打算升級、新組裝電腦的人,可別以為最近漲價的產品只是因為紅包行情,記憶體模組甚至是固態硬碟還會貴一陣子。

延伸閱讀

記憶體市場需求持續旺盛,明年第一季恐再漲 15%

手機帶動需求提升,DRAMeXchange 預估記憶體合約價格將上漲

固態硬碟滲透率再下一城,筆電採用量預估在 2018 年超過 50%

Crucial vs. Kingston:原生 DDR4-2400 16GB 記憶體模組實測

bisheng
作者

前 PCADV 編輯、現 BenchLife 玩票性質打雜工 https://benchlife.info

使用 Facebook 留言

發表回應

謹慎發言,尊重彼此。按此展開留言規則