3D NAND 結合 TSV 技術，Toshiba 快閃記憶體容量上看 1TB

Toshiba 旗下快閃記憶體部門，最近常因分拆、出售消息上新聞版面，但是技術的突破並未因此停歇。稍早前才發布，包含 96 層堆疊的 3D NAND，以及首款基於 3D NAND 製程生產的 QLC 類型顆粒等消息。而日昨，Toshiba 又再宣布 3D NAND 結合 TSV 技術，單一顆粒容量將能達到 1TB。

2015 年夏天，Toshiba 曾發布 TSV（Through-Silicon Via，直通矽晶穿孔）技術導入應用消息，取代傳統打線接合（Wire bonding）的裸晶堆疊封裝技術，能夠提高產品資料傳輸吞吐量，並且降低消耗功率。昨天 Toshiba 又再宣布，正火熱的 3D NAND 率先導入 TSV 技術應用，傳輸速率、容量、功耗表現又將創下新紀錄。

▲ Toshiba 將 TSV 技術導入至 3D NAND 產品線應用。

這款 BiCS FLASH 本質上是屬於 TLC 架構類型，將以 48 層堆疊 3D NAND 製程，結合 TSV 技術進行生產，其 Toggle DDR 介面具有 1066Mbps 傳輸速率。Toshiba 所標示裸晶堆疊封裝數量，雖然維持既有的 8、16 層，但是已經足以提供單顆容量達 512GB、1TB 產品，意味單一裸晶容量是有 512Gbit（64GB）這麼大。

▲ TSV 技術應用示意圖。

Toshiba 今年 2 月曾發布 512Gbit 產品訊息，但那是基於 64 層堆疊的 3D NAND，現在導入 TSV 技術應用的 3D NAND 只有 48 層，可見未來還有容量密度提升空間。Toshiba 已經在 6 月開始試產，正式樣品將於下半年陸續出貨，並預定 8 月份在美國所舉行的 Flash Memory Summit 活動，展出與介紹這項技術產品。

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