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6f8820e32c612d620a29612c359d18b9 目前消費市場較流行的 DDR4 記憶體模組為單條 8GB 版本,採用較多廠商均有能力大量量產的 1Gb x8 顆粒,在價格與容量之間取得不錯的平衡點,也兼具一定的超頻性優勢。Samsung 近日利用自家 M-die 記憶體顆粒,推出單條 32GB 模組,照顧大容量需求族群。

由於動態記憶體利用電容儲存電荷的特性,經過一定時間需要對電容再次充電,避免電荷流失量達到無法判斷 0 或是 1 的狀態,導致無法正常運作。也因為此運作原理讓記憶體製程微縮遇到瓶頸,近年來記憶體容量上升速度已漸趨緩,過小的儲存單元並無法儲存足夠的電荷,讀寫時也很容易受到鄰近儲存單元影響。

去年年底宣布正式量產第二代 10 奈米等級 1y nm DDR4 記憶體顆粒的 Samsung,宣布推出 DDR4 單條 UDIMM 32GB 模組,目前已達出樣階段供合作廠商測試。由於是 UDIMM 無緩衝、無 ECC、無 Registered 的記憶體模組,因此市場目標並非工作站或是伺服器,而是你我普通消費族群。

單條記憶體模組容量達 32GB 的 M378A4G43MB1-CTD,表示一般電腦平台 4 條記憶體插槽即可達 128GB 容量,HEDT 平台則是 256GB,等於是現行容量上限的 2 倍。這個記憶體模組採用 16 顆 2Gb x8 記憶體封裝,構成電路板雙面上料(單面 8 顆)2 個 Rank 結構,而一般 8GB DDR4 記憶體模組僅為單面上料 1Gb x8 單一 Rank 設計。

消費級 DDR4 UDIMM 容量上限有多大?Samsung 說單條 DDR4-2666 32GB M378A4G43MB1-CTD
▲Samsung 推出 DDR4 32GB 記憶體模組,往上推升消費市場電腦的最高容量。

M378A4G43MB1-CTD 記憶體模組等效時脈為 2666MHz,記憶體顆粒採用 M-die, TCL、TRCD、TRP、TRAS 最小值分別為 13.75ns、13.75ns、13.75ns、32ns,時序因此是比較寬鬆的 19-19-19-43,記憶體主要運作電壓則是標準 1.2V。另外深藏在 Samsung DDR4 產品指南資料表還有個 M378A4G43AB1-CVF 32GB 模組,採用 A-die 速度提升至等效時脈 2933MHz,預計於明年第一季上市。

消費級 DDR4 UDIMM 容量上限有多大?Samsung 說單條 DDR4-2666 32GB M378A4G43MB1-CTD
▲除了 M378A4G43MB1-CTD,明年預計還有 1 款同為 32GB 的 M471A4G43AB1-CVF 記憶體模組,速度提升至 DDR4-2933。

 

18/09/06 20:35 修正文章不正確內容 

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