451820e7a2d1d889333f6bfdaab09240 過去一年以來,台系固態硬碟控制器設計方案,逐漸成為低價位導向機種的新寵。國內幾家老字號卡碟廠商,皆陸續推出這類型產品,用以滿足預算有限、特定應用等市場需求。除了前一期介紹的Apacer產品之外,Silicon Power近期也推出S80布局市場,兩者皆採用Phison這以價格為導向的設計方案。

公版設計壓低非必要成本

如先前所提到,低價位機種未必和cost down、品質堪虞畫上等號,一款設計得宜或說品質無慮的低價產品,是省略不必要的附加功能、控制各端成本而來。當然了,成本控制有相當多面向可以談論,在短篇文章內是無法一一道盡,也只能求先建立個基本概念。總而言之,不同價位產品本質上自當有別,這正是市場區隔的奧義。

實際剖解S80來進一步評估,所採用控制器型號為PS3108-S8-I,這是Phison當家的8通道控制器產品。儘管原廠標格標示支援DEVSLP節能模式,透過CrystalDiskInfo查看確認,S80與Apacer的ProII Series-AS501S一樣,韌體層都並未開啟這項功能。目前甚少人注意這點應用,某程度上而言是可有可無,對低價位產品更是無法奢求太多。

S80所選用控制器,理論成本是比Marvell、SandForce這些舶來品低,甚至可能有段不小的價差。至於控制成本的第二步,筆者與ProII Series-AS501S對照發現,兩者線路布局與電路板編號一致,這顯然是Phison公版設計。買晶片送電路圖是科技業界常態,製造商無須花費時間自行設計驗證,除了得以縮短產品開發時程,亦可以節省些研發設計成本。

▲S80除了採用台系廠商Phison設計方案,亦沿用原廠所提供公版線路布局,用以搭配的快閃記憶體並非來自晶圓原廠,官方指出是第三方廠商購自Toshiba,自行測試封裝的產品。Silicon Power藉由壓低各端製造成本的模式,構成這款價格導向產品。

OP設定高於孿生競爭品

許多人關注的快閃記憶體方面,Silicon Power配置出人意表,並未選用原廠顆粒產品,以致無法確認實際規格。據Silicon Power表示,該顆粒裸晶圓是來自Toshiba,屬於19nm製程產物,由第三方廠商購買後測試切割封裝而來。S80採用這顆粒為TSOP腳位封裝,反觀ProII Series-AS501S是採用BGA腳位顆粒,但電路板正反兩面同樣焊滿16顆。

Phison設計方案亦有記憶體配置需求,就我們所取得240GB版本來看,兩者配置容量與顆粒來源皆相同,為Nanya製DDR3L-1600顆粒256MB。雖然S80和ProII Series-AS501S是孿生產品,不過Silicon Power所選用韌體的OP(Over Provisioning,預留空間)容量設定較高,因此產品標示容量和SandForce產品相仿,同為120、240、480GB等等。

▲控制器規格標示可支援DEVSLP節能模式,但是從韌體資訊來判斷S80並未啟用之。 

快閃記憶體規格配置合宜

基於設計方案與ProII Series-AS501S相同這因素,即便雙方市場價位不一,拿來抓對廝殺比較效能仍然合宜。就概觀效能面而言,不難發現Phison控制器表現堪稱良好,具有和舶來品相抗衡的實力。而這兩款產品相較下,S80特別是在寫入速度部分,又較ProII Series-AS501S來得理想。

其中關鍵在於快閃記憶體配置,儘管兩者都動用16顆顆粒,但ProII Series-AS501S是採用Micron最新16nm製品,規格特徵是單一裸晶圓容量高達128Gb(16GB)。這配置組合很容易算出來,該顆粒為單一裸晶圓封裝產品,因此控制器總和控制晶圓數量為16個。反觀S80雖然顆粒規格不詳,但是就Toshiba被普遍採用的產品規格而言,可合理推測為2CE堆疊封裝規格,控制器所控制晶圓數量是較多的32個。

如我們先前多次提及的概念,控制器所控制晶圓數量,對寫入速度有著莫大影響,這推論可在概觀效能測試數據部分得到驗證。S80最高隨機寫入速度在468MB/s左右,循序模式下少則472MB/s,最高值則是達到530MB/s之譜。反觀ProII Series-AS501S,平均落在300MB/s上下,足足較S80慢了50%以上之多。

存取性能表現

S80

ProII Series-AS501S

讀取

寫入

讀取

寫入

ATTO Disk Benchmark

Neither

(單位KB/s)

4KB

154946

102182

155333

101924

512KB

541685

502923

540474

500578

8192KB

550323

530242

549072

531555

CrystalDiskMark 1Fill

(單位MB/s)

Seq

543.8

472.6

542.3

296.4

512KB

335.6

460.2

330.9

296.2

4K

28.15

105.5

23.68

109.1

4K QD32

148.6

234.7

134.8

213.5

ATTO Disk Benchmark

I/O Comparison Random

(單位KB/s)

4KB

151625

101670

150601

103972

512KB

497102

466265

507679

300936

8192KB

501748

469762

512525

306433

CrystalDiskMark隨機亂數

(單位MB/s)

Seq

543.7

468.5

541.6

306.7

512KB

335.4

465.6

331.1

304.2

4K

28.13

105.4

23.69

109.2

4K QD32

148.6

238.3

134.2

212.0

AS SSD Benchmark

(單位IOPS)

16MB

32.43

23.22

32.37

17.61

4K

8692

24166

7499

24807

4K-64Thrd

40849

55689

37323

43936

512B

18624

25047

17961

25108

分數

245

349

227

297

總分

727

640

PCMark 7 Secondary storage score

5168

5099

PCMark 7 Raw Secondary storage score

5041

4697

PCMark 8 Storage score

4917

4898

PCMark 8 Storage bandwidth

201.16MB/s

186.78MB/s

總和表現更勝於孿生產品

就概觀效能面而言,S80是具有完全壓制ProII Series-AS501S的實力,AS SSD Benchmark所測得效能以IOPS來呈現,亦可看出寫入部分高出一截的傾向。因此在總評分方面,讀取與寫入分別為245和349分,總得分727分較ProII Series-AS501S高出約莫11%幅度。包括PCMark 8 Storage bandwidth部分,S80測得成績為201.16MB/s,亦比186.78MB/s的對手高出7%左右。

最後看到DriveMaster測試部分,雙方雖然本是同根生,但基於顆粒與韌體設定等差異因素,效能傾向不盡相同。0~50%固然是ProII Series-AS501S占上風,但是從完整填滿1次容量開始,S80逐漸扭轉劣勢超前。雙方皆在125%區段開始進入效能平原,填滿2次容量之前,S80都以30%或以上幅度領先。至於決勝終點時,S80繳出1577IOPS,以高達51%的幅度勝出。

▲在4K隨機寫入耐久度測試之中,S80效能變化走勢和孿生產品相近,但是基於顆粒與韌體設定差異因素,最終表現是超越競爭產品相當幅度。

當前價位略高不利於競爭

綜觀各面向效能表現來說,S80是較ProII Series-AS501S來得出色些許,不失為更理想的低價位產品選擇。然而撰稿期間檢索通路價格資訊,S80其240GB版本參考價格可能高達3900元,坦白說更好的選擇相當多。不過新品甫上市價格偏高是通俗現象,未來隨著大量到貨甚至是下殺競爭,隨時都會扭轉產品性價比指數,這點得在稍後才能獲得證明。(廖必勝)

 

 

本文同步刊載於電腦王雜誌

 

  
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wuo
1.  wuo (發表於 2014年12月27日 11:13)
就概觀效能面而言,"不難發Phison控制器表現堪稱良好",具有和舶來品相抗衡的實力。而這兩款產品相較下,S80特別是在寫入速度部分,又較ProII Series-AS501S來得理想。

應該是漏字了

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