Dd7d60b02432b2011ebc636ca8ba8bea 時間進入 2016 年,AMD 與 NVIDIA 雙方,都緊鑼密鼓準備推出新一代繪圖顯示架構晶片,而且有志一同的將 HBM2 記憶體列為高階產品選項。Samsung 雖然沒搶到 HBM 頭香,但是 HBM2 進度順利超前競爭對手,日前宣布正式開始量產 4GB 容量 HBM2 產品。

AMD 去年推出 Fury 系列顯示卡時,率先導入 HBM(High Bandwidth Memory)記憶體應用,其資料傳輸效率遠勝過 GDDR5。AMD 宣稱,和 SK Hynix 合作開發 HBM 多年,具有相當技術難度挑戰,也因此累積了不少經驗與專利。不過 HBM 終究列為 JEDEC 標準規範之一,故包含 Samsung、Micron 等有心的廠商,也都能夠投入開發與量產。


▲ Samsung 官方 HBM2 應用示意圖。

Samsung 日前發布消息,表示已經開始正式量產 HBM2 記憶體,實體產品單顆容量達 4GB。這是植基於 20nm 製程生產,並結合 TSV(Through-Silicon Via,直通矽晶穿孔)封裝技術,將 4 個容量 1GB 的晶圓堆疊封裝而來。Samsung 指出,該晶圓具有 5000 個 TSV 孔,數量相較於 DDR4 世代產品,約達到 36 倍之多。

這款 4GB 容量的 HBM2 記憶體,擁有 256GBps 理論頻寬,兩倍於 128GBps 的 HBM 產品。除了應用在各式高階顯示卡,HPC(High Performance Computing,高性能運算電腦)、各類網路解決方案、伺服器都適用,Samsung 宣稱可提供 7 倍於現行 DRAM 技術產品的性能。在此之後,Samsung 也將致力開發 8GB 容量產品,順利的話將在今年內正式投產。


▲ HBM2 內部結構示意圖。

AMD 與 NVIDIA 雙方,除了將 HBM 列為下一世代高階顯示晶片的標配,今年新計畫同樣都是鎖定 HBM2。相較於既有的 GDDR5 架構產品,不只資料傳輸頻寬高出數倍,同時具備更加省電、電路板占用空間更少等優勢。因此即便目前良率可能還說不上是理想、產量少而物以稀為貴,全球兩大獨立顯示晶片廠商仍然興致勃勃,或許在年中就能看到搭載 HBM2 的顯示卡推出。

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