Western Digital發表可應用於3D NAND的X4技術 延續鞏固在多層儲存單元 (Multi-Level Cell) 的領導地位

Western Digital發表可應用於3D NAND的X4技術  延續鞏固在多層儲存單元 (Multi-Level Cell) 的領導地位

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全球領先的儲存技術和解決方案供應商Western Digital公司 (NASDAQ: WDC) 發表開發出適用於64層3D NAND (BiCS3) 的X4 (每單元4位元) 快閃記憶體架構技術。

憑藉之前開拓創新的X4 2D NAND 技術、成功商品化的經驗及深厚扎實的垂直整合能力,Western Digital再次成功研發推進適用於3D NAND的X4架構技術。

Western Digital發表可應用於3D NAND的X4技術  延續鞏固在多層儲存單元 (Multi-Level Cell) 的領導地位

這前進的邁步包括矽晶片加工和其相關設備工程以達到每個記憶體單元保存4 位元的資訊(16種信息狀態),以及快閃記憶體管理系統的專業技術。

BiCS3 X4技術能在單一晶片上提供領先業界的768Gb (gigabits) 儲存容量,與採用X3 (每單元3位元) 技術的512Gb晶片相比,提高了50%的容量。Western Digital將在今年8月美國加州聖塔克拉拉 (Santa Clara) 的快閃記憶體高峰會 (Flash Memory Summit) 上展示採用BiCS3 X4架構技術的SSD 和可移動攜帶式產品。

Western Digital記憶體技術執行副總裁Siva Sivaram博士表示:「X4架構技術應用於BiCS3是Western Digital的一項重大發展,因為這不但證明了我們在NAND快閃記憶體技術領域的領導地位,也讓我們能提供客戶更多的儲存方案。這次發佈最重要的一點,就是在BiCS3 採用X4架構的創新技術能提供與BiCS3 X3相當的效能。縮小X4與X3架構的效能差距,是一項重要和革新化的功能,有助於在未來幾年提高市場對X4架構技術的接受度。」

3D NAND X4架構技術是Western Digital在快閃記憶體產業近30年來再次創新領導研發的成就,其他包括早期業界領先採用X2 (每單元2位元) 與X3 (每單元3位元) 架構的多層儲存單元 (MLC) 快閃記憶體技術。

Western Digital期望能將3D NAND X4技術商品化並應用到各種能充分利用X4更高容量優勢的終端產品。未來世代的3D NAND技術,包括96層BiCS4在內也預估將具備X4性能設計。

關於Western Digital

Western Digital是業內領先的儲存技術和解決方案供應商,能讓使用者建立、利用、體驗和儲存資料。公司提供種類齊全且極具吸引力的高品質儲存解決方案,它們具有以客戶為中心的創新功能以及極高的效率、靈活性和儲存速度,可滿足不斷變化的市場需求。產品以HGST、SanDisk 和 WD 品牌銷售給 OEM、代理商、經銷商、雲端基礎架構供應商和消費者。財務與投資人相關資訊請見投資人關係網頁:investor.wdc.com.

前瞻性聲明

本新聞稿包含部分前瞻性陳述,包括與3D NAND技術相關之各種預測,包含根據現況所預期的開發、性能、效能提升、應用、產能與客戶,以及本公司參與快閃記憶體高峰會一事。有幾種風險及不確定因素可能導致這些前瞻性陳述失準,其中包括:全球經濟情勢波動;儲存生態系統的業務狀況與成長;競爭產品與定價的影響;市場接受度,以及商品原料和特殊產品零組件的成本;競爭對手的行動;具競爭關係之技術出現意外進展;本公司根據新技術所開發與推出之產品,以及在資料儲存新市場的擴張行動;併購、合資相關風險;製造過程出現困難或延遲;以及公司提報給美國證管會(SEC)文件中所列其他風險及不確定因素,這些文件包括2017年5月8日提報予SEC之Form 10-Q,提醒您特別留意。請勿過度仰賴上述前瞻性陳述,因內容僅代表發文時狀況,且本公司不承擔更新上述前瞻性陳述之義務,以反映後續事件與狀況。

 

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11GB等於10億位元組。實際使用的儲存容量會比較低。

Techtion科技行動派
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