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28b77cace0bbd2423bbe71ec1536a082 2018 年 CES 展期將至,近日開始公布創新獎得獎產品,身為全球最大的資訊科技公司 Samsung Electronics,當然也有不少產品獲得獎項。在消費性電子產品之外,該公司 GDDR6 記憶體也得到了創新獎的肯定,讓看熱鬧的外行也可以稍微窺視其規格資訊。

GDDR6 為目前廣泛使用的 GDDR5 顯示記憶體的下一世代產品,將根據 DDR4 的技術規格進行延伸,因此也會額外需要供應 Vpp 電壓,而 GDDR5X 則為 Micron 獨立製造並銷售的 GDDR5 加強型產品,以 NVIDIA 高階顯示卡為使用大宗,GDDR5 和 GDDR5X 速度分別約為 7~8Gbps 和 10~12Gbps 左右。此外還有 HBM 與 HBM2 記憶體,消費市場上主要使用對象以 AMD 的高階顯示卡為主,但因為此類記憶體比較不追求高時脈,而是追求更寬的資料傳輸位元通道,與顯示晶片需要使用載板(interposer)相互連接後再封裝至基板,與 GDDR5 和 GDDR5X 能夠透過電路板和顯示晶片連接相比,製造難度比較高也比較貴。


▲Samsung 的 GDDR6 獲得 CES 創新獎項,連帶稍微掀開該產品規格資訊的神秘面紗。

近日 CES 開始公布創新獎得獎名單,Samsung 製造的 GDDR6 顯示記憶體也在名單之列,根據該公司新聞稿,GDDR6 傳輸速度已可達 16Gbps,單一封裝晶片 32bit 通道寬度即為 64GB/s,為目前 GDDR5 的 2 倍之譜,也超越 GDDR5X 的傳輸速度,為下一世代顯示卡提供足夠的存取頻寬,單顆封裝容量有望從 8Gb 起跳,對於 AMD 來說也不必再使用比較貴又比較麻煩的 HBM2。

GDDR6 電壓將從 GDDR5 的 1.5V 降至 1.35V,更為省電也是記憶體世代更迭的重要目標之一。根據市場消息,GDDR6 看來會在 2017 年底至 2018 年開始正式量產,AMD 的 Navi 和 NVIDIA 的 Volta 可望率先使用。當然除了 Samsung 之外,SK hynix、Micron 等記憶體製造大廠也會投身 GDDR6 的製造之列。

 

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