SK海力士率先公開展示首批 HBM4 記憶體技術，頻寬高達2.0 TB/s

在台積電舉辦的北美技術論壇（North America Technology Symposium）上，SK海力士（SK hynix）正式對外展示了新一代 HBM4「AI記憶體」技術，並同步預告了數款即將登場的新產品。

此次發表中，SK海力士首度向公眾簡要介紹了 HBM4 的基本規格：

• 單顆容量最高可達 48GB

• 記憶體帶寬達 2.0TB/s

• I/O 傳輸速率達 8.0Gbps

SK海力士表示，HBM4 預計於 2025 年下半年實現量產，最快有望在今年底便開始進入產品整合階段，進度比外界預期更快。值得注意的是，目前SK海力士是唯一一家正式對外展示HBM4技術的公司。

同場亮相：16層 HBM3E 記憶體

除了 HBM4，SK海力士也展示了全球首款 16 層堆疊的 HBM3E 記憶體，帶寬高達 1.2TB/s，性能遠超現有 HBM3E 標準。據悉，這款 HBM3E 將會搭載於 NVIDIA 的 GB300「Blackwell Ultra」AI集群平台上，未來 NVIDIA 預計在「Vera Rubin」專案中，進一步轉向採用 HBM4 技術。

伺服器記憶體模組新產品線同步曝光

除了HBM系列，SK海力士也同步展示了最新伺服器記憶體模組，包括：

• MRDIMM 系列：速度達 12.8Gbps，容量有 64GB、96GB、256GB可選

• RDIMM 模組：速度 8Gbps，容量為 64GB與96GB

• 3DS RDIMM：提供高達 256GB 容量選項

這些高效能伺服器模組均基於最新 1c DRAM 製程打造，專為高效能運算與AI應用設計。

目前在 HBM 與 DRAM 市場上，SK海力士透過持續創新與積極與 NVIDIA 等大廠合作，逐步鞏固了領先地位，對三星等競爭對手形成強大壓力。