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9ab6c7e425a77f32f990d0dce1983fc6 Toshiba 旗下快閃記憶體部門,最近常因分拆、出售消息上新聞版面,但是技術的突破並未因此停歇。稍早前才發布,包含 96 層堆疊的 3D NAND,以及首款基於 3D NAND 製程生產的 QLC 類型顆粒等消息。而日昨,Toshiba 又再宣布 3D NAND 結合 TSV 技術,單一顆粒容量將能達到 1TB。

2015 年夏天,Toshiba 曾發布 TSV(Through-Silicon Via,直通矽晶穿孔)技術導入應用消息,取代傳統打線接合(Wire bonding)的裸晶堆疊封裝技術,能夠提高產品資料傳輸吞吐量,並且降低消耗功率。昨天 Toshiba 又再宣布,正火熱的 3D NAND 率先導入 TSV 技術應用,傳輸速率、容量、功耗表現又將創下新紀錄。


▲ Toshiba 將 TSV 技術導入至 3D NAND 產品線應用。

這款 BiCS FLASH 本質上是屬於 TLC 架構類型,將以 48 層堆疊 3D NAND 製程,結合 TSV 技術進行生產,其 Toggle DDR 介面具有 1066Mbps 傳輸速率。Toshiba 所標示裸晶堆疊封裝數量,雖然維持既有的 8、16 層,但是已經足以提供單顆容量達 512GB、1TB 產品,意味單一裸晶容量是有 512Gbit(64GB)這麼大。


▲ TSV 技術應用示意圖。

Toshiba 今年 2 月曾發布 512Gbit 產品訊息,但那是基於 64 層堆疊的 3D NAND,現在導入 TSV 技術應用的 3D NAND 只有 48 層,可見未來還有容量密度提升空間。Toshiba 已經在 6 月開始試產,正式樣品將於下半年陸續出貨,並預定 8 月份在美國所舉行的 Flash Memory Summit 活動,展出與介紹這項技術產品。

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