SK hynix將於今年量產DDR5記憶體晶片,順便告訴你DDR5的優點在哪裡

SK hynix將於今年量產DDR5記憶體晶片,順便告訴你DDR5的優點在哪裡

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韓國半導體公司SK Hynix在其官方部落格發表了將於2020年內開始量產DDR5記憶體晶片的資訊,並強調DDR5具有更高的資料傳輸效能,以及更低的電力消耗等特色,能滿足多核心運算與高效能運算的使用需求,並強化大數據、AI、機器學習等應用情境的效率。

DDR5記憶體初期目標速度4800Mbps

SK Hynix於2018年11月,成功開發充16Gb DDR5 DRAM記憶體晶片,並符合JEDEC固態技術協會(JEDEC Solid State Technology Association)制定的標準。接著SK Hynix也於日前表示將於2020年開始量產DDR5記憶體晶片,並持續研發DRAM技術,以更高效能與可靠度的產品引領下一代半導體。

SK Hynix DRAM產品企劃負責人Sungsoo Ryu表示,在5G、自駕車、AI、AR、VR、大數據等應用引領的第4次工業革命中,DDR5記憶體可在次世代高性能運算(High Performance Computing,HPC)與以AI為基礎的數據分析中扮演關鍵角色。DDR5記憶體能夠將儲存密度提高到每個顆粒16Gb甚至24Gb,對於伺服器應用來說相當具有競爭優勢。

SK Hynix也表示隨著處理器核心數的上升,4、6核心處理器甚至是伺服器用的64核心處理器都越來越普及,而隨著核心數成長,系統對記憶體頻寬的需要也隨之增加。

回顧先前從DDR3過渡到DDR4時,每個DIMM插槽的頻寬從1600Mbps成長至2133Mbps,增幅為33%,而在研發DDR5時, SK Hynix直接將目標定在4800Mbps,也就是說與DDR4的3200Mbps相比有50%00Mbp增益,而長期目標則放在DDR4的2倍,也就是說下波目標將會是頻寬為6400Mbps的DDR5記憶體,最終甚至可望將頻寬推升至8400Mbps。

SK Hynix將於2020年投入DDR5記憶體量產。(圖片來源:SK Hynix。標題圖與下同)

相較於DDR4,DDR5有速度更快、容量密度更高等優勢。

改善架構提升效能

為了提高記憶體的存取效能,DDR8採用由8個Bank Group組成的32 Bank(可以單獨啟用/停用的存儲單元)架構,比DDR4由4個Bank Group組成的16 Bank架構,多出1倍的存取可用性(Access Availability)。而DDR5的Burst Length(DRAM單個讀/寫指令可以存取的資料量)從DDR4的8增加到16,也是增加效能的關鍵功能。

不同於DDR4在更新(Refresh)時無法執行其他操作,DDR5則透過Same Bank Refresh功能,讓系統可以在更新某些Bank的時候,存取其他Bank的資料,另一方面DDR5也透過決策回饋等化器(Decision Feedback Equalization,DFE)消除雜訊,以增加整體效能表現。

在電力消耗部分,DDR5的工作電壓為1.1V,低於DDR4的1.2V,能降低單位頻寬的功耗達20%以上。

DDR5不但具有更高的效能,電力效率也更加出色。

根據市場研究公司International Data Corporation提供的調查報告,DDR5的需求預計從2020年開始增長,並可在2021年奪下DRAM市場的22%,到2022年成長至43%,而個人電腦、消費性產品也應該會跟隨伺服器的步調,逐漸轉從DDR4過渡至DDR5。

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訪客
1.  訪客 (發表於 2020年4月16日 20:51)
成功開發「充」16Gb DDR5 DRAM記憶體晶片     充 > 出
與DDR4的3200Mbps相比有「50%」「00Mbp」增益
 50% > 38%s(?)(註)   00Mbp > 1600Mbp
「DDR8」採用由8個Bank Group組成的32 Bank   DDR8 > DDR5

註:
 底下最後一張圖表「DDR5 ADVANTAGES」顯示,頻寬增幅為 38% 。

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