Samsung 第三代 HBM2E 記憶體 Flashbolt 現身,速度推升至 3.2Gbps、容量達 16GB 高性能記憶體走向 2 個極端,其一為注重時脈速度的 GDDR,另外一種則是注重匯流排寬度的 HBM。Samsung Electronics 近日發表 Flashbolt 記憶體,為自家第三代 HBM2E,單針腳傳輸速度衝上 3.2Gbps,單顆堆疊 8 個 16Gb 顆粒,總容量來到 16GB。

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JEDEC 在上個月更新 HBM2 技術規格,JESD235C 將單針腳速度提升至 3.2Gbps,其餘重大規格相對 JESD235B 沒有太多變動,最大單一晶粒容量維持 2GB、每個堆疊最多可以容納 12 個晶粒、單一堆疊對外匯流排界面寬度為 1024bit、電壓 1.2V 等。

隨著 JEDEC JESD235C 規格更新,Samsung Electronics 於近日發表 Flashbolt 記憶體,為自家第三代 HBM2E 記憶體,單針腳傳輸速度已達規範最高速度 3.2Gbps,單一堆疊採用 8 個 16Gb 晶粒,如此單一堆疊即可提供 16GB 容量,相當驚人!(HBM2E 與 HBM2 3.2Gbps 是一樣的東西,只是 Samsung 和 JEDEC 的稱呼不同。)

Samsung Electronics 近日發表旗下第三代 HBM2E 記憶體,單針腳傳輸速度達 3.2Gbps,並透過堆疊 8 個 16Gb 晶粒,讓單一堆疊擁有 16GB 容量。

Flashbolt 與前一世代 Aquabolt 除了傳輸速度上的不同(Flashbolt:3.2Gbps、Aquabolt:2.4Gbps),單一堆疊容量也倍增(Flashbolt:16GB、Aquabolt:8GB),除了能夠讓高性能運算晶片獲取更大的存取頻寬,也可以執行更為複雜的任務。

Flashbolt HBM2E 記憶體採用 1y 製程製造,每個晶粒含有 5600 個以上的 TSV(Through Silicon Via、矽穿孔),用以相互連接傳輸訊號,8 個晶粒堆疊擁有超過 4 萬個 TSV。此外這次 Samsung Electronics 僅宣布 8-Hi 堆疊版本,JEDEC 標準最高可達 12-Hi,因此不排除未來也會有單一堆疊容量達 24GB 版本問世。另一方面,Samsung Electronics Flashbolt HBME2 除了支援 JEDEC 標準速度 3.2Gbps,該公司新聞稿還提到支援 4.2Gbps,讓單一堆疊對外頻寬從 410GB/s 躍升至 538GB/s,提升 31.22% 左右。

Samsung Electronics Flashbolt HBM2E 採用自家 1y 製程製造,除了能夠支援 JEDEC 標準 3.2Gbps,甚至還能夠超頻至 4.2Gbps。

Samsung Electronics 表示 Flashbolt HBM2E 將於 2020 上半年開始進入量產階段,這個時間點相當微妙,為 AMD RDNA2 和 NVIDIA Ampere 架構產品推出前夕,高性能運算卡版本採用的可能性相當高,但是顯示卡記憶體超過一定容量之後,對於遊戲沒有太大幫助,因此零售市場不太可能見到採用 HBM2E 記憶體的產品。

 

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