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E1ff08e0d7dfd4b4ffbcd856c8047308 各位讀者已經可以觀察到,SSD 今年開始越來越便宜,記憶體也有望逐步下調。Micron 於近日的線上財務說明會議,表示下一世代 96 層 3D 堆疊 NAND 快閃記憶體將於今年下半年開始量產出貨,而 1Y nm DRAM 也會在同期量產出貨。

Micron 近期的財報均交出不錯的成績單,但對讀者而言,能夠出現便宜的產品讓消費者選購似乎更為實際一些。近日 Micron 舉辦 2018 第三季會計年度線上財務說明會議,本季營業額達美金 78 億元,相比去年同期提升 40%,相較上一季也增長 6%。

除了優異的財報結果之外,該公司第三代 3D 堆疊 64 層 NAND 快閃記憶體,預計將於今年第二季開始量產出貨,成本近一步下調。該公司也對第四代 3D 堆疊快閃記憶體產品表示開發進度良好,將繼續使用 Replacement Gate 製程和 CMOS under the array 結構。

SSD 和記憶體有望越來越便宜,Micron 96 層 NAND 與 1Y nm DRAM下半年出貨量產
▲3D 堆疊 96 層快閃記憶體和 1y 奈米動態記憶體,均預計於今年下半年量產出貨。

Micron 手中另一項重要產品 DRAM 動態記憶體,1x(18)奈米製程預計下半年將成為量產主力,1y(14~16)奈米製程也將於下半年量產出貨,更進一步的 1Z(12~14)奈米或是 1α 也在開發當中。在中國邀請記憶體生產廠商喝咖啡之後,記憶體售價漲勢受到一定程度的壓抑,對於終端消費市場而言,只要未來沒有什麼重大狀況(譬如封裝測試廠失火之類的),這態勢或許會延續到下半年。

 

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