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三星1c nm DRAM良率達60%，成功跨越量產損益點，為HBM4獲利能力注入強心針。此進展讓三星在HBM4大戰中搶佔有利位置，鞏固其市場競爭力。

在全球 AI 資料中心熱潮下，記憶體供應吃緊，但 Intel 卻給筆電消費者一顆定心丸。筆電市場因強大庫存緩衝，記憶體價格與供貨將維持平穩。

美光澄清DRAM供應短缺並非消極擴產，而是資料中心需求暴增所致。儘管美光正努力擴大產能，但DRAM供應短缺恐持續至2028年，產業面臨嚴峻挑戰。

DRAM 記憶體超級週期來臨，三星海力士等大廠策略轉變，優先供應聯想華碩等大型PC廠。小型廠商面臨DRAM 記憶體短缺困境，市場轉為賣方主導。

AI 需求激增引發DRAM記憶體短缺，專家預警恐慌性漲價將至，DRAM記憶體供不應求或持續至2027年，建議儘早升級電腦配備。

美光宣布將於 2026 年前終止 Crucial 消費品牌業務，專注於 AI 與企業級記憶體市場，並重分配產能以提升利潤結構。

全球DRAM市場重組，SK海力士憑藉HBM連續領先三星！AI需求引爆DRAM價格，HBM競爭成記憶體霸主之爭關鍵。

雲端需求強勁，DDR5獲利將超車HBM3e！DDR5價格攀升，預計2026年第一季迎來轉捩點。記憶體供應商策略或將調整。

三星面臨記憶體人才流失，SK海力士崛起。三星的企業文化窒息創新，導致記憶體人才轉向SK海力士，加速了SK海力士在DRAM市場的領先地位。

記憶體市場異動！DDR4 價格飆升，現貨價反超 DDR5，實屬罕見。DDR4 供貨吃緊，是否提前入手DDR4 避險？

三星1c nm DRAM獲量產批准，象徵10奈米級DRAM技術重大突破。此DRAM技術將用於HBM4，影響三星營收，三大廠10奈米DRAM競賽白熱化。

三星 HBM4 進入試產階段，目標 2025 年底量產。三星 HBM4 採用先進製程與技術，提供更高效能的記憶體解決方案。