荷包又要縮水了！AI 浪潮搶走產能，明年記憶體與 SSD 恐全面大漲 20%

消費端硬體需求尚未全面回溫，記憶體報價卻依然居高不下。隨著全球 AI 基礎設施持續擴張，半導體供應鏈的產能傾斜效應正日益顯著。

根據研調機構 TrendForce（集邦諮詢）發布的 2026 年第四季記憶體市場預測，一般 DRAM 合約價預計季增 10% 至 15%，若計入 HBM（高頻寬記憶體），整體漲幅將拉升至 15% 到 20%；同時，NAND Flash 快閃記憶體合約價也預計同步上揚 15% 至 20%。

先進製程傾注伺服器產品，PC 記憶體產能恐續遭排擠

從整體供應端來看，上游 DRAM 原廠目前持續將先進製程資源重押在高效能伺服器產品上。雖然原廠策略造成市場維持供不應求的結構，但整體合約價的季增幅度已出現部分收斂與放緩跡象。

機構分析指出，伺服器專用 DRAM 的供不應求態勢短期內難以緩解。至於行動裝置專用的 Mobile DRAM 與一般消費類 DRAM，第四季雖然報價維持上漲基調，但漲幅將相對收斂。

值得關注的是，由於原廠全力轉向高毛利的高效能伺服器應用，PC DRAM 能分配到的產能空間正遭到進一步壓縮。機構示警，PC 端記憶體產能配額到了 2027 年恐怕還會面臨更嚴峻的下調壓力。

在 NAND Flash 快閃記憶體方面，市場走勢則呈現顯著的「雙軌分化」。儘管消費端實際終端需求偏弱，但在 AI 儲存建置潮的拉抬下，整體 NAND 快閃記憶體合約價依然受到連帶牽動而全面調漲。

各類儲存產品的價格漲勢亦大不相同。企業級 SSD（Enterprise SSD）在雲端大廠採購支撐下，預計第四季合約價漲幅將進一步擴大；相對地，客戶端 SSD（Client SSD）因原廠報價策略轉趨彈性，價格漲幅已逐步受到抑制。

在行動與嵌入式市場端，eMMC 與 UFS 的新增採購動能十分有限。面對上游漲價與終端拉貨遲緩的雙重夾擊，下游儲存模組業者對 NAND 快閃記憶體晶圓（Wafer）的進貨態度已漸趨觀望與保守。