三星發表全新 990 SSD：無 DRAM 讀速仍達 7250MB/s，鎖定掌機與筆電升級

三星宣布推出全新 Samsung 990 SSD 固態硬碟，提供 1TB 與 2TB容量選擇。作為定位主流的無 DRAM（DRAM-less）產品，該款 SSD 透過 Host Memory Buffer（HMB）技術，在維持最高 7,250 MB/s 連續讀取速度的同時，能效比前代旗艦 990 PRO 顯著提升 38%。這款產品旨在為筆記型電腦與手持遊戲裝置等對功耗及散熱要求較高的設備，提供兼顧高速讀寫與低發熱的儲存升級方案。

導入無 DRAM 設計與 HMB 技術，讀寫逼近 PCIe 4.0 頻寬上限

Samsung 990 SSD 固態硬碟採用 PCIe 4.0 x4 介面與最新的 V-NAND 技術。雖然本代產品移除了獨立的 DRAM 晶片，但其藉由主機記憶體緩衝區（Host Memory Buffer, HMB）技術，直接調用系統部分 RAM 作為資料對照表使用，進而維持高水準的資料存取效能。根據官方規格，Samsung 990 SSD 2TB 版本的連續讀取速度最高可達 7,250 MB/s，1TB 版本最高則為 7,150 MB/s，兩款型號的連續寫入速度皆可達到 6,450 MB/s。

在隨機讀寫效能方面，2TB 版本隨機讀取最高可達 850K IOPS、隨機寫入最高可達 1,200K IOPS；1TB 版本則分別提供最高 700K IOPS 與 1,100K IOPS 的表現。這使得該款 SSD 在應用程式啟動與大型工作負載處理時，依然能維持極佳的反應速度。

能效躍升 38%！解決行動裝置散熱與續航痛點

相較於定位旗艦效能的 990 PRO，這款標準版 Samsung 990 SSD 最顯著的改進在於能源效率。無 DRAM 的架構設計大為降低了硬碟運行時的功耗。官方測試數據顯示，Samsung 990 SSD 的連續讀寫能效比前代 990 PRO 提升高達 38%（以 2TB 版本內部測試為例，其每瓦連續讀取效能為 1,686 MB/s，990 PRO 則為 1,221 MB/s）。

對於散熱空間有限的筆記型電腦、迷你主機（Mini PC）或熱門的掌上型遊戲機來說，這意味著發熱量大幅減少，進而能延長行動裝置的電池續航時間，並避免在高負載下因過熱而導致降速。