KIOXIA、WD 成功研發第五代 BiCS NAND 快閃記憶體，BiCS5 3D 堆疊達 112 層、速度加快 50％

KIOXIA 和 WD 這兩家在 NAND 型快閃記憶體相互合作的廠商，近日正式宣布成功研發第五代 BiCS 系列 NAND 快閃記憶體。BiCS5 不僅在 3D 堆疊層數達到 112 層，I/O 頻寬也有所改良，相較前一世代 BiCS4，部分測試項目效能增進達 50％。

如果讀者不熟悉 KIOXIA 是何許人也？其實就是過去的 Toshiba Memory 易名而來，仍舊專注於非揮發性記憶體的研發與生產工作。在 NAND 型記憶體領域相互合作的 KIOXIA 和 WD 2 家公司，均於近日正式宣布完成第五代 BiCS（Bit Cost Scalable）的研發。

據悉，BiCS5 將 3D 堆疊層數從前一世代 BiCS4 的 96 層提升至 112 層，KIOXIA 表示單位面積容量提升 20％（WD 所提供數據為單一晶圓容量提升 50％），2020 上半年初期樣品將採用 TLC 儲存形式，單一晶粒容量為 512Gbit，未來預計將同步提供 TLC 和 QLC 儲存形式產品，單一晶粒最高容量將達 1Gb 和 1.33Gb。

▲ KIOXIA 和 WD 合作宣布已開發完成第五世代 BiCS NAND 型快閃記憶體顆粒，BiCS5 堆疊層數將達 112 層，也會提供 TLC 以及 QLC 紀錄形式的產品。

BiCS5 內部結構把邏輯電路擺在資料儲存 cell 的下方，稱為 CuA（Circuit under Array），內部 plane 數量預計將有所提升，於使用 Toggle 模式的情形下，目前官方給予的傳輸速度數據為 BiCS4 的 1.5 倍，也就是提升 50％ 資料吞吐量，預計搭載至新一代 PCIe 4.0 x4 NVMe SSD 會有不錯的表現。

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