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Samsung Electronics 正式量產第五代 V-NAND,採用 Toogle DDR 4.0 速度達到 1.4Gbps

Samsung Electronics 正式量產第五代 V-NAND,採用 Toogle DDR 4.0 速度達到 1.4Gbps

Samsung 今日發出新聞稿,表明旗下第五代 3D 立體堆疊 V-NAND 已進入第五代並正式量產,第五代 V-NAND 堆疊層數超過 90 層,並且也是首度使用 Toggle DDR 4.0 傳輸介面的 NAND 快閃記憶體,單顆封裝的傳輸速度即可達 1.4Gb/s,為...