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KIOXIA 和 WD 這兩家在 NAND 型快閃記憶體相互合作的廠商，近日正式宣布成功研發第五代 BiCS 系列 NAND 快閃記憶體。BiCS5 不僅在 3D 堆疊層數達到 112 層，I/O 頻寬也有所改良，相較前一世代 BiCS4，部分測試項目效能增進達 50％。

無論各位讀者喜不喜歡，每個 cell 可以儲存 4bit 資料的 QLC NAND 正在前方道路緩緩到來。繼 Micron 首先利用自家 64 層 3D 堆疊產品製作企業市場讀取密集應用 5210 ION SSD，其餘各大 NAND 製造商也紛紛宣布推出 QLC 樣品或是實...

Samsung 今日發出新聞稿，表明旗下第五代 3D 立體堆疊 V-NAND 已進入第五代並正式量產，第五代 V-NAND 堆疊層數超過 90 層，並且也是首度使用 Toggle DDR 4.0 傳輸介面的 NAND 快閃記憶體，單顆封裝的傳輸速度即可達 1.4Gb/s，為...