美光科技宣佈全球首款 232 層 NAND 正式出貨,成功實現有史以來最高的 TLC 密度

美光科技宣佈全球首款 232 層 NAND 正式出貨,成功實現有史以來最高的 TLC 密度

美光科技宣布全球首款 232 層 NAND 已正式量產,該產品採用業界頂尖的創新技術,將為儲存解決方案帶來前所未有的效能。它具備業界最高的單位儲存密度(areal density),並提供與前幾代 NAND 相比更高的容量和更佳的能源效率,能提供從終端使用者到雲端之間大部分數據密集型應用最佳支援。

領先的技術釋放無與倫比的效能

美光的 232 層 NAND 技術不僅具備必要的高性能儲存,可以支援資料中心和汽車應用所需的先進解決方案和即時服務,也能提供行動裝置、消費性電子產品和個人電腦所需的回應速度及沉浸式體驗。該技術節點達到了現今業界最快的 NAND I/O 速度:2.4 GB/s,將滿足以數據為中心的工作負載(如人工智慧、機器學習、非結構化資料庫和實時分析、雲端運算等)的低延遲和高吞吐量需求,比美光 176 層製程節點所提供最高速的介面數據傳輸速度快 50%。與前一代產品相比,美光 232 層 NAND 的每晶粒寫入頻寬提高 100%,讀取頻寬亦增加超過 75%,這些優勢將進一步強化 SSD 和嵌入式 NAND 解決方案的性能和能源效率。

美光科技宣佈全球首款 232 層 NAND 正式出貨,成功實現有史以來最高的 TLC 密度

此外,美光 232 層 NAND 引進全球首款六平面(6-Plane) TLC 生產型 NAND,是所有 TLC 快閃記憶體中每晶粒擁有最多平面的產品,且每個平面都有獨立的讀取能力。傑出的 I/O 速度和讀寫延遲表現,結合美光的六平面架構的結合,將實現許多配置的最佳資料傳輸能力。此架構可以減少讀寫命令之間的衝突,進而改善系統級服務品質。

美光的 232 層 NAND 也是首款在生產中支援 NV-LPDDR4 的產品,此低電壓介面與過去的 I/O 介面相比可節省每位元傳輸逾 30%,因此,232 層 NAND 解決方案得以為在提高性能和低功耗之間力求平衡的行動應用、資料中心、智慧邊緣的部署提供理想的後援。該介面亦向下相容,支援舊款控制器和系統。

232 層 NAND 的精巧外形不僅賦予客戶在設計上的彈性,也實現了有史以來最高的 TLC 密度(14.6 Gb/mm2),其單位儲存密度 較目前市場上的 TLC 競品相比高出 35% 至 100%。3 232 層 NAND 並採用比美光前幾代產品小 28% 的新封裝尺寸,11.5mm x 13.5mm 的封裝使其成為目前最小的高密度 NAND,而在更小的空間內實現更高的容量也有助於大幅降低應用時所佔據的主機板空間。

供貨

美光的 232 層 NAND 目前正在新加坡晶圓廠量產,會優先以封裝顆粒形式及透過美光 Crucial SSD 消費性產品系列向客戶出貨,並於日後發佈更多產品和供貨資訊。美光位於新加坡的 NAND 卓越製造中心因其在智慧製造領域傑出的營運實力而獲得世界經濟論壇全球燈塔網絡(Global Lighthouse Network)的認證。先進技術如人工智慧工具、智慧控制系統和預測能力,皆有助於美光加速產品開發和提升品質,進而加快良率提升和產品上市時間。

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