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Bd78b0866f2e8dd88b0716b2fee9a200 無論各位讀者喜不喜歡,每個 cell 可以儲存 4bit 資料的 QLC NAND 正在前方道路緩緩到來。繼 Micron 首先利用自家 64 層 3D 堆疊產品製作企業市場讀取密集應用 5210 ION SSD,其餘各大 NAND 製造商也紛紛宣布推出 QLC 樣品或是實際 SSD 產品。

為了增加每單位的儲存容量以及降低成本,NAND 型快閃記憶體從每個 cell 僅能儲存 1bit 的 SLC,逐漸成長至 2bit/MLC、3bit/TLC,而如今每個 cell 可以儲存 4bit 資料的 QLC 即將問世,主要製造商紛紛在近期端出相關產品。Micron 開出第一槍,表示第一款商業化 QLC NAND 快閃記憶體正式出貨,還利用它製作企業市場密集讀取型 SSD 5210 ION。

我們都知道 Micron 和 Intel 在快閃記憶體合作多年,2 者產品多有共通性(雖然未來確定要分道揚鑣),因此 Intel 近日也在自家 Twitter 新聞頻道宣布將推出企業級 QLC SSD,產品介面採用 PCIe 規格,5210 ION 則為 SATA 6Gb/s,或許也有藉此分佔市場的意味存在。除此之外 Intel 並未詳細透露這款產品型號規格,僅表示將於 8 月初舉辦的 Flash Memory Summit 釋出更多細節。

Micron、Intel、Western Digital、Toshiba 紛紛端出 QLC 快閃記憶體,Samsung 持續加碼 NAND 產能
▲Intel News 近日刷了一下 QLC SSD 存在感,除了宣布 PCIe 企業級產品,其餘相關資訊要等到 8 月才可知曉。

與我們消費者最為密切的資訊,當屬 Western Digital 宣布推出該廠第二代 3D 堆疊 BiSC4 QLC 快閃記憶體,單一晶粒高達 1.33Tb 容量,目前正處於樣品階段,預計今年年底之前即可進入量產階段。同時段,Western Digital 也會利用 SanDisk 品牌推出消費等級產品,未來也會將此 BiSC4 QLC 快閃記憶體應用於企業市場。

Micron、Intel、Western Digital、Toshiba 紛紛端出 QLC 快閃記憶體,Samsung 持續加碼 NAND 產能
▲Western Digital BiSC4 QLC 訊息較為明確,今年底之前就會推出 SanDisk 消費端產品。

Western Digital 藉由 SanDisk 與 Toshiba 享有開發合作夥伴關係,因此 Toshiba 也在 Western Digital 釋出新聞稿之後數個小時,隨即宣布 3D 堆疊 96 層 BiCS 快閃記憶體樣品,同為 QLC 紀錄形式,最大單一晶粒容量也是 1.33Tb。更進一步透露單一封裝可以安排 16 個晶粒,也就是 1 個封裝即享有 2.66TB 容量。若以 2.5 吋/7mm 設計,內部 1 片電路板正、反面至少可以安排 16 顆封裝,即可組合出 42.5TB 容量。(註:不一定為使用者可用儲存容量)

Micron、Intel、Western Digital、Toshiba 紛紛端出 QLC 快閃記憶體,Samsung 持續加碼 NAND 產能
▲Toshiba 給予單顆封裝能夠整合 16 顆 QLC BiSC 晶粒資訊,提供 2.66TB 容量。

Samsung 雖然是最早喊出 QLC 紀錄形式快閃記憶體的廠商,卻也一直保持神秘的色彩,近期宣布第五代 3D 堆疊超過 90 層的 V-NAND 進入量產,僅提到目前第五代 V-NAND 為每 cell 紀錄 3bit,每 cell 紀錄 4bit 版本正在規劃當中。不過 Samsung 今年和明年加碼投資在韓國與中國的製造工廠,用以提升產能搶占市場,若未來市場需求無法跟隨供給同步增加,今年開演的 SSD 價格下滑戲碼還會推出不少續集。

 

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