2022.01.20 09:30

搶先台積電,Intel買下ASML首款最先進High-NA EUV曝光機、每小時200片以上晶圓產能

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ASML 和英特爾(Intel)公司宣布,作為雙方公司長遠高數值孔徑合作案的框架內容,英特爾已向 ASML 下訂業界首台 TWINSCAN EXE:5200 系統的訂單;這是款具備 High-NA 的極紫外光(EUV)大量生產系統,每小時具備 200 片以上晶圓產能。

英特爾的遠見和對 ASML High-NA EUV 的早期承諾,為其不斷追求摩爾定律的絕佳佐證。相較於目前的 EUV 系統,ASML 持續創新拓展 EUV 路線圖,進一步降低複雜性、成本、週期時間和所需能量,提供驅動晶片產業下個 10 年所需要的良好經濟規模延展性。

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英特爾於去年 7 月Accelarated 活動中宣布,其部署首款 High-NA 技術的計畫,藉以確立電晶體創新路線圖發展。英特爾早在 2018 年即是之前 TWINSCAN EXE:5000 系統的首位買家,透過今日所宣布的新訂購案,其合作關係將隨著英特爾於 2025 年開始以高數值孔徑 EUV 進行生產製造而延續下去。

英特爾執行副總裁暨技術開發事業部總經理 Ann Kelleher 博士指出,英特爾的重點就是保持半導體微影技術的領先地位,去年 Intel 持續不斷地打造 EUV 專業知識和能力,透過與 ASML 的密切合作,我們將汲取 High-NA EUV 的高階析度圖案化優勢,作為延續摩爾定律的其中一個方式,並將我們追尋電晶體微縮的優良傳統延續下去。

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EXE 平台為 EUV技 術的演化步驟,其包含新穎的光學設計與大幅提升速度的光罩與晶圓階段。TWINSCAN EXE:5000 和 EXE:5200 系統,與之前 EUV 機器所具備的 0.33 數值孔徑鏡片相比,提供精確度提升的 0.55 數值孔徑,為更小的電晶體特徵提供更高的解析度圖案化,系統所具備的數值孔徑結合其使用波長,決定了最小能夠印製的特徵尺寸。

EUV 0.55 NA 為 2025 年開始的多個未來節點所設計,同時也是業界首次部署該技術,隨之而來的將是具備相近密度的記憶體技術。在 2021 年的投資者關係日,ASML 分享其 EUV 路線圖規劃,並表示 High-NA 技術有望自 2025 開始支援生產製造。

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