Intel 18A 更多技術細節公開：速度提升 25%、功耗降低 36%，與台積電 2nm 正面對決

英特爾（Intel）近日在 2025 年 VLSI 研討會上進一步揭露其最新製程技術 Intel 18A 的更多細節，讓外界對這項即將問世的先進製程有了更清晰的認識。從目前公布的資訊來看，Intel 18A 不僅在效能與功耗方面取得顯著突破，也具備與台積電 2nm 製程正面對決的實力。

根據英特爾提供的數據，在 PPA（效能 Performance、功耗 Power、面積 Area）指標上，Intel 18A 在標準 Arm 架構晶片、電壓為 1.1V 的條件下，實現了高達 25% 的速度提升與 36% 的功耗下降，可望為未來晶片帶來更具效率的表現。

此外，Intel 18A 的晶片面積利用率比目前的 Intel 3 製程更佳，代表在相同面積下可實現更高密度設計，對於高效能運算與行動裝置設計都有相當助益。

Intel 18A 是英特爾首次採用 **RibbonFET（環繞閘極晶體管，GAA 結構）**的製程，這項技術能更精準地控制電流流動，提高開關速度與效率。

另一項關鍵創新是 PowerVia 背面供電技術，這是業界首度實際投入量產的背供電結構，可有效減少電源傳輸路徑上的電壓降，提升晶片內部電力穩定性，進而讓設計更緊湊並釋放正面佈線空間，進一步提升晶片整體面積效率。

從研討會中展示的電壓變化圖來看，PowerVia 的導入讓高效能條件下的電力穩定性明顯改善，這對高頻運作環境尤其重要。

綜合目前曝光的資訊，若 Intel 18A 在良率方面表現穩定，將有機會成為台積電 N2（2 奈米製程）在先進製程市場中的強勁對手。

據了解，Intel 18A 將首先應用於 Panther Lake SoC 和 Xeon Clearwater Forest 伺服器處理器，預計最快 2026 年便會有搭載此製程的終端產品登場。