2022.07.05 15:30

英特爾誓言2025年重返製程領先,下一代Intel 4效能提升20%以上

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英特爾(Intel)近期於美國檀香山舉行的年度 VLSI 國際研討會中,公布下一代 Intel 4 製程的技術細節。

Intel 表示,相較於 Intel 7,Intel 4 於相同功耗提升 20% 以上的效能,高效能元件庫(library cell)的密度則是 2 倍,官方更誓言將用 Meteor Lake 處理器產品,推進先進技術和製程模組,帶領公司於 2025 年重回製程領先地位。

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Intel 4 於鰭片間距、接點間距以及低層金屬間距等關鍵尺寸(Critical Dimension),持續朝向微縮的方向前行,並同時導入設計技術偕同最佳化,縮小單一元件的尺寸。透過 FinFET 材料與結構上的改良提升效能,Intel 4 單一 N 型半導體或是 P 型半導體,其鰭片數量從 Intel 7 高效能元件庫的 4 片降低至 3 片。

綜合上述技術,使得 Intel 4 能夠大幅增加邏輯元件密度,並縮減路徑延遲和降低功耗。

Intel 7 已導入自對準四重成像技術(Self-Aligned Quad Patterning、SAQP)和主動元件閘極上接點(Contact Over Active Gate、COAG)技術來提升邏輯密度。前者透過單次微影和兩次沉積、蝕刻步驟,將晶圓上的微影圖案縮小 4 倍,且沒有多次微影層疊對準的問題;後者則是將閘極接點直接設在閘極上方,而非傳統設在閘極的一側,進而提升元件密度。

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Intel 4 更進一步加入網格布線方案(gridded layout scheme),簡單化並規律化電路布線,提升效能同時並改善生產良率。

隨著製程微縮,電晶體上方的金屬導線、接點也隨之縮小;導線的電阻和線路直徑呈現反比,該如何維持導線效能抑是需要克服的壁壘。

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Intel 4 採用新的金屬配方稱之為強化銅(Enhanced Cu),使用銅做為導線、接點的主體,取代 Intel 7 所使用的鈷,外層再使用鈷、鉭包覆;此配方兼具銅的低電阻特性,並降低自由電子移動時撞擊原子使其移位,進而讓電路失效的電遷移(electromigration)現象,為 Intel 3 和未來的製程打下基礎。

將光罩圖案成像至晶圓上的最重要改變,可能在於廣泛的使用 EUV 來簡化製程。英特爾在現有解決方案中的最關鍵層使用 EUV,而且在 Intel 4 的較高互連層中使用 EUV,大幅度減少光罩數量和製程步驟,未來 Intel 更將導入全球第一款量產型高數值孔徑(High-NA)EUV 系統。

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