在Intel Foundry Direct Connect 2025活動上，Intel多位主管以及合作夥伴說明多種先進製程的特色與技術，強調效能表現優勢。
多種製程滿足差異需求
Intel資深副總裁暨晶圓代工服務總經理Kevin O’Buckley在Intel Foundry Direct Connect 2025活動中說明了Intel 18A、Intel 14A等先進製程節點，另一方面也不忘Intel 16、Intel 12等成熟製程節點，彼此有不同特色，能夠滿足多元、差異化的客戶需求，甚至與美國政府在多個不同計劃進行廣泛合作。
（筆者註：Intel 16、Intel 12之單位為奈米，代表16nm、12nm節點之意。而Intel 18A、Intel 14A之單位為埃 ，代表1.8 nm、14nm節點之意。詳細請見下方延伸閱讀）
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Kevin也說明多項先進封裝的技術進展，並解釋透過先進封裝整合運算單元於HBM高頻寬記憶體，改善AI運算效能表現。
▲ Intel資深副總裁暨晶圓代工服務總經理Kevin O’Buckley在活動中介紹崜蓊製程特色。
▲ 根據Intel Foundry晶圓製造路現圖，2025年將推出業界首次導入PowerVia（背面供電）的Intel 18A製程節點，並在2027年推出業界首次導入高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）的Intel 14A製
▲ Intel 18A製程節點目前已進入風險試產（Risk Production）階段，並預計於2025下半年開始量產。（投影片為活動現場拍攝，畫質較差敬請見諒。下同。）
▲ Intel 18A-P製程節點則強化效能表現，且設計規則與Intel 18A相容，有助於客戶轉移設計。
▲ Intel 18A-PT製程節點則是加入TSV功能，有助於在套用先進封裝時堆疊不同模塊（Tile）或小晶片（Chiplet），也能做為AI運算單元、加速器等應用的基底裸晶（Base Die）。
▲ Intel 14A節點製程目前已向主要客戶提供製程設計套件（PDK）的早期版本，已有多個客戶計劃生產測試晶片。
▲ 在成熟製程方面，Intel 16節點製程將與MediaTek（聯發科技）合作。
▲ Intel 12節點製程則與MediaTek（聯發科技）合作。
▲ Intel也與美國聯邦政府進行RAMP、RAMP-C （Rapid Assured Microelectronics Prototypes - Commercial）、Secure Enclave、SHIP等計劃合作，將先進科技應用於航太與軍事領域。
▲ 在先進封裝方面，未來將會推出EMIB-T、 Foveros-R、Foveros-B和Foveros Direct3D等強化技術。
▲ 例如導入TSV的EMIB-T技術能夠提高訊號傳輸品質，讓AI運算加速器能夠整合HBM4高頻寬記憶體，透過提高資料吞吐量以改善效能表現，並可提高晶圓切割的利用率，對整體良率有正面幫助。
▲ Intle也於會中展示各種製程以及玻璃基板 封裝之晶圓。
合作夥伴透露Intel 18A效能表現
Cadence（益華電腦）與Intel為長期密切合作的夥伴，其電子設計自動化設計（以下簡稱EDA）也支援RibbonFET（環繞式閘極）、PowerVia（背面供電）等新技術。
活動中Cadence（益華電腦）半導體解決方案集團資深副總裁暨總經理（Senior Vice President And General Manager, Silicon Solutions Group）Boyd Phelps也透過數據說明上述技術能帶來的效能增益，其中PowerVia大約能夠提高晶片6%的整體效能表現，RibbonFET則有8%的增益。
▲ Boyd Phelps在活動中透過EDA的角度分析Intel 18A製程節點的效能表現。
▲ Cadence的EDA系統能夠針對PowerVia的線路設計進行最佳化。
▲ Intel 18A製程節點導入的PowerVia技術大約能夠提高晶片6%的整體效能表現。
▲ 在Intel 18A-P製程節點部分，RibbonFET技術大約能夠提高晶片8%的整體效能表現。
Intel也提供Intel 18A效能表現
Intel邏輯技術發展副總裁暨總經理（VP GM Logic Technology Development）Ben Sell也針對自家技術與製程進行詳細說明。
他提到了Intel 18A與Intel 14A製程節點的各項特色，也分析了效能表現，並說明採用高數值孔徑極紫外光的優勢。
▲ Ben Sell也針對Intel的技術與製程進行詳細說明。
▲ Intel 18A製程節點的特點就是業界首個導入RibbonFET與PowerVia的製程。
▲ 與前代Intel 3製程節點相比，Intel 18A製程節點能夠在消耗相同電力的條件下提高15%效能，並提高1.3倍電晶體密度。
▲ 根據Intel的測試資料，使用Intel 18A製程節點生產的SRAM表現符合業界標準。
▲ Intel 18A製程節點的風險試產與2025第4季量產版本的表現也都能符合開發目標。
▲ 雖然Intel 18A製程節點的PowerVia會增加生產成本（圖表中淺藍色部分），但生產過程也可以結省標準程序部分的成本（最右方長條圖下降的區塊），一來一往只讓整體成本微幅提高。
▲ Intel 18A-P製程節點的RibbonFET將提供更多功能，增加更多閘極尺寸（Ribbon Size）與VT類型（閾值電壓，Threshold Voltage）選項，可以帶來8%效能增益。
▲ Intel 18A-PT製程節點是加入TSV功能的版本，相較於Intel 3-T製程節點能夠提高20~25%運算密度、節省25~35%的電力消耗，並可提高約9倍裸晶間的互聯密度。
▲ Intel 14A製程節點帶來Tall（效能最高）、Medium（表現平衡）、Short（縮小尺寸）等3種不同Library設計，以及更廣的閾值電壓，並會導入第2代RibbonFET與PowerVia發展而來的PowerDirect直接接觸供電技術。與Intel 18A-PT製程節點相比可以提高15~20%電力效率，並提高1.3倍電晶體密度。
▲ Intel將在Intel 14A-E製程節點提供Turbo Cell技術，開發者可以自由搭配高時脈或高電力效率的單元，組合出最符合使用需求的電力曲線。
▲ 高數值孔徑極紫外光的優勢在於能夠產生更精細的光刻圖像。這項技術進行1次微影與個位數步驟程序，所得到的圖像品質就優於使用一般極紫外光進行3次微影與約40步驟程序。
Intel將於2025年下半推出採用Intel 18A製程節點的Panther Lake處理器，屆時讀者將有機會直接體驗新製程技術帶來的優勢，我們也將帶來完整的測試專題報導。