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C2a22702caf7f8bced6b4998e4e614e1 行動裝置搭配高容量快閃記憶體已成趨勢,越來越高的相機畫素與螢幕解析度,都需要大容量的儲存空間搭配使用。自從 Apple iPhone 系列推出 128GB/256GB 版本,引導各家旗艦機型跟隨效法,而後 4G 甚至是 5G 時代,多樣化應用需求也帶著儲存空間需求向上飆漲。

行動裝置的效能在這幾年有著爆炸性成長,手機已經成為許多人的行動辦公室,也成為工作之外的影音娛樂用品,多達 70% 的消費者會在手機觀看視訊節目,在多樣化的應用驅使之下,行動裝置儲存空間需求越來越高,特別是部分跟隨使用時間而佔去更多空間的程式,譬如通訊軟體、遊戲、地圖、辦公室軟體等。再加上新興應用如 360° 環景影片/相片、AR/VR、AI 等,也需要更大的資料量才足以撐起適切的感官體驗。


▲新款 iNAND 嵌入式快閃記憶體由 Western Digital 產品市場管理總監包繼紅負責說明。

Western Digital 於今年發表 64 層 3D NAND 快閃記憶體,並以此製作 SSD 之外,近日更發表嵌入式快閃記憶體 iNAND 8521 以及 iNAND 7550,分別具備 UFS 2.1 Gear3 2-lane 與 eMMC 5.1 存取介面,由 BiSC3 64 層 3D 堆疊快閃記憶體提供 32GB~256GB 容量選擇。iNAND 8521 更憑藉 64 層 3D NAND 以及第五代 SmartSLC 技術,128GB 循序寫入速度即可達 500MB/s,隨機寫入效能更達 45K IOPS。


▲SmartSLC 運作原理。

SmartSLC 替寫入作業提供應用感知功能,寫入資料會先行使用 SLC 快取空間,之後再將資料轉寫進 TLC 空間;當寫入作業量超過固定的 SLC 快取空間時,可以再利用 TLC 空間模擬成為 SLC 空間,以便保持一致的寫入速度。而第五代 SmartSLC 另外使用硬體控制器操作這部分的寫入作業,因此最高可以達到 500MB/s。


▲iNAND 7232、iNAND 7550、iNAND 8521 效能比較。


▲iNAND 8521。

採用 eMMC 5.1 介面的 iNAND 7550 雖然受限於傳輸規格無法達到這麼高的速度,128GB 版本也有循序寫入 260MB/s 和隨機寫入 15K IOPS,均比前代旗艦 iNAND 7232 的 160MB/s 和 4100 IOPS 高出不少。iNAND 7550 主要目標為新興市場主流行動裝置而設計,採用第四代 SmartSLC 技術,而且導入 3D NAND 也使得寫入壽命增加,幾乎是 iNAND 7232 的 1.6~1.8 倍。


▲iNAND 7232、iNAND 7550、iNAND 8521 寫入壽命比較。


▲iNAND 7550。

加總 SmartSLC 和 3D NAND 的耐用性,行動裝置使用一段時間之後比較不會感受到存取速度衰退的問題,多出來的寫入壽命能夠讓使用者盡情紀錄生活時光,而不必擔心快閃記憶體壽命用罄。目前 iNAND 7550、iNAND 8521 已經開始打樣交由合作廠商測試當中,可以期待接下來的旗艦機種存取速度再上一城。

 

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