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寫入效能可達 500MB/s 與 45K IOPS,Western Digital 3D NAND iNAND 準備驅動你的手機

寫入效能可達 500MB/s 與 45K IOPS,Western Digital 3D NAND iNAND 準備驅動你的手機

行動裝置搭配高容量快閃記憶體已成趨勢,越來越高的相機畫素與螢幕解析度,都需要大容量的儲存空間搭配使用。自從 Apple iPhone 系列推出 128GB/256GB 版本,引導各家旗艦機型跟隨效法,而後 4G 甚至是 5G 時代,多樣化應用需求也帶著儲存空間需求向上飆漲。