高通推 Quick Charge 3.0 快充技術，0% 至 80% 只要 35 分鐘

高通近日在香港舉辦 3G/LTE 高峰會（2015 Qualcomm 3G/LTE Summit），會中宣布將推出第三代充電技術 Quick Charge 3.0，在 QC3.0 技術下，一般手機只需充電約 35 分鐘，電量即可從 0% 增至 80%，而沒有使用 Quick Charge 技術的傳統行動裝置，則可能需花費約 1.5 小時的時間。

高通表示 Quick Charge 3.0 作為快速充電技術系列中的第三代技術，亦是此系列技術中第一個採用「最佳電壓智慧協商」(Intelligent Negotiation for Optimum Voltage, INOV) 演算法的技術，目標是讓攜帶型裝置無時無刻都能做出判斷，以最適合的功率級別進行充電，將能源轉換效率最大化。

QC3.0 充電效率較 QC 2.0 提升最高達 38%，並有額外的機制用以保護電池壽命週期，若與高通的並聯充電模組同時使用，Quick Charge 3.0 可提供：

• 比 QC2.0 提升最高達 27% 的快速充電速度，或減少最高達 45% 的功率耗損
• 比 QC1.0 快兩倍的充電速度

QC3.0 目前已經上市，可與 Snapdragon 820、620、 618、617、430 等多款特定高通 Snapdragon 處理器選配使用，預計於 2016 年推出的行動裝置上亮相。

▲QC2.0 提供了四種充電電壓（5V、9V、12V、20V），QC3.0 則以每 200mV 為增量，於 .6V 至 20V 的電壓範圍內，提供不同電壓的彈性選擇，進而將電能損耗最小化、提升充電效率並改善熱表現。

▲QC3.0 具有前向及後向兼容的特性，可與先前的 Quick Charge 版本及各種連接埠如 USB Type-C 相容，同樣支持超快速充電，擁有獨立電路，亦通過了UL認證，確保品質與安全符合標準。

Qualcoom Quick Charge 3.0 介紹影片

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