台積電發表A16新型晶片製造技術，不用High-NA EUV曝光機也能超越Intel 14A

台積電在2024年北美技術論壇中展示其最新的製程技術、並首度發表A16（1.6奈米）新型晶片製造技術，官方表示預計於2026年量產。

台積電指出，A16技術結合領先的奈米片電晶體及創新的背面電軌解決方案，以大幅提升邏輯密度及效能。背面電軌解決方案該技術有助於加快人工智慧晶片的速度，並將於 2026 年推出。並且表示，台積電認為它不需要使用 ASML 的新型High-NA EUV曝光機來製造 A16 晶片。

台積電表示，超級電軌技術將供電網路移到晶圓背面，在晶圓正面釋出更多訊號網路的布局空間，藉以提升邏輯密度和效能。相較台積電 N2P 製程，A16 相同 Vdd (工作電壓) 下，速度增加 8%~10%，相同速度功耗降低 15%~20%，晶片密度提升高達 1.10 倍，支援資料中心產品。

台積電業務發展資深副總裁張曉強表示，AI 晶片公司需求，使 A16 研發速度比預期快，但未透露客戶資訊。

分析師認為，台積電公佈A16技術，可能會讓人回過頭質疑英特爾 2 月份的說法，即英特爾將利用名為 14A的新技術超越台積電，製造出全球最快的晶片。英特爾就是採用每台耗資3.73億美元的High-NA EUV曝光機裝置來開發14A晶片。

分析師們說，這些公告讓人對英特爾將重新奪回世界晶片製造桂冠的說法產生懷疑。

分析公司 TechInsights 的副主席 Dan Hutcheson 在談到英特爾時說：「這是值得商榷的，但在某些指標上，我不認為他們領先。」

但 TIRIAS Research 的負責人凱文-克魯威爾（Kevin Krewell）警告說，英特爾和台積電的技術距離交付仍有數年之遙，需要證明真正的晶片與他們的主題演講相匹配。