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傳DDR6記憶體單通道資料傳輸寬度提升50%,最快2027年量產導入、起步頻率達8800MT/s

傳DDR6記憶體單通道資料傳輸寬度提升50%,最快2027年量產導入、起步頻率達8800MT/s

下一世代的記憶體技術正悄悄成形。根據《工商時報》報導,標準制定組織 JEDEC 目前已積極推動 DDR6 標準規範,三大 DRAM 原廠(三星、SK海力士、Micron)皆已完成 DDR6 原型晶片設計,預計最快 2026 年進入平台測試階段,並於 2027 年啟動大規模導入。

相較目前市售的 DDR5,DDR6 在通道架構與速度規格上都大幅升級。不僅單通道的資料傳輸寬度將從 64bit 提升 50% 至 96bit,子通道設計也從 DDR5 的 2×32bit 微調為 4×24bit,有助於提升傳輸效率並優化控制邏輯。

頻率倍增、傳輸架構改變 DDR6 將牽動平台升級潮

根據目前業界流出的規格草案,DDR6 起始頻率預估為 8800MT/s,最高有望達到 17600MT/s,是目前主流 DDR5-5600 的約三倍。這樣的速度提升,對於 AI 推論、3D 建模、影音編輯與遊戲繪圖等高頻寬應用來說,都是相當關鍵的升級。

此外,由於 DDR6 與 LPDDR6 在架構上進行同步,特別在通道切割與傳輸寬度上採一致設計,對筆電 SoC 或混合式平台來說更有整合彈性,有助於減少設計成本並簡化主機板佈線。

傳DDR6記憶體單通道資料傳輸寬度提升50%,最快2027年量產導入、起步頻率達8800MT/s

傳DDR6記憶體單通道資料傳輸寬度提升50%,最快2027年量產導入、起步頻率達8800MT/s

CAMM 模組接棒登場,有望取代傳統 DIMM 成為新主流

隨著傳輸頻率與結構複雜度提升,DDR6 對於訊號完整性與 I/O 模擬的要求也越來越高。為因應這些需求,近年被 JEDEC 納入標準的 CAMM(Compression Attached Memory Module)記憶體模組,將可能成為 DDR6 的主流實體格式。

與傳統 DIMM 相比,CAMM 採用壓接設計,模組厚度更薄、訊號傳輸更穩定,且能支援更多通道與模組堆疊,非常適合用於筆電、高效能伺服器或 AI 專用裝置等對空間與頻寬要求極高的應用場景。

傳DDR6記憶體單通道資料傳輸寬度提升50%,最快2027年量產導入、起步頻率達8800MT/s

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DDR6雖強,主流普及仍須時間醞釀

目前雖已有原型晶片問世,但距離 DDR6 實際導入至消費市場,仍需等處理器平台同步支援,如 Intel、AMD 的下一代架構是否會將 DDR6 納入考量。目前預估要到 2028 年以後,DDR6 才有機會成為桌機與筆電市場的主流規格。

可以確定的是,DDR6 將與 PCIe 6.0 / 7.0、CXL 技術,以及 AI 專用加速器共同組成未來高效能運算平台的核心基礎,特別是在資料中心、AI 模型訓練與雲端計算等領域將有關鍵影響。

cnBeta
作者

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