Intel 20A殺手鐧PowerVia技術首秀,反超台積電就靠它

Intel 20A殺手鐧PowerVia技術首秀,反超台積電就靠它

Intel一直在積極推進4年內推出5代先進製程的戰略,2021-2024年間將陸續投產7、4、3、20A、18A。

Intel 20A(或20-angstrom,或2奈米)節點引入了帶有PowerVIAs(一種有助於提高電晶體密度的互連創新)的全門(GAA)RibbonFET電晶體。Intel 20A據稱比其前身Intel 3(FinFET EUV,3奈米級)具有15%的性能/瓦特提升,其本身比Intel 4具有18%的性能/瓦特提升(比目前的Intel 7具有20%的性能/瓦特提升),該節點即將進入大規模生產。

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英特爾18A節點是對英特爾20A的進一步完善,對RibbonFET進行了設計改進,在規模上提高了電晶體密度,據稱比英特爾20A有10%的性能/瓦特提升。

PowerVia技術首秀

Intel 20A製程將引入兩種全新的技術,PowerVia背部供電、RibbonFET全環繞柵極電晶體。

PwoerVia技術將傳統位於晶片正面的供電層改到背面,與訊號傳輸層分離,通過一系列TSV矽穿孔為晶片供電,可以大大降低供電噪聲、電阻損耗,最佳化供電分佈,提高整體能效。

計畫6月11-16日舉辦的VLSI Symposium 2023研討會上,Intel將首次展示PowerVia技術,不過用的不是20A,而是基於Intel 4的一顆測試晶片,架構則是E核。

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這顆核心的面積僅為2.9平方mm,得益於PowerVia技術,大部分區域的標準單元利用率都超過了90%(圖中橙色區域),其餘的也基本都在80%之上(圖中綠色區域)。

同時,PowerVia技術還帶來了超過5%的頻率提升,吞吐時間略高但可以接受,功耗發熱情況符合預期。

除了用於自家產品,Intel也將使用PowerVia技術為客戶代工,這也是提前展示其能力的一個原因。

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KKJ
作者

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