三星正積極推進第五代HBM3e記憶體：傳輸速度高達1.228TB/s、1秒鐘內可傳輸230部FHD電影

三星目前正在加快開發第五代HBM3e「Shinebolt」。經初步測試，Shinebolt的最巨量資料傳輸速度將比上一代有所提升，預計將達到1.228TB/s。

據悉，HBM（High Bandwidth Memory）屬於垂直連接多個DRAM，與DRAM相比顯著提升資料處理速度的高附加值、高性能產品。HBM DRAM產品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的順序開發，其中HBM3E是HBM3的擴展版本。HBM被認為是人工智慧時代的新一代DRAM。

Shinebolt比SK海力士的HBM3e最巨量資料傳輸速度為1.15TB/s更快。Shinebolt還採用了最新的12層垂直堆疊方案，能夠在單個HBM3e封裝上實現高達36GB的容量，而原型版本使用的8層堆疊方案僅實現了24GB的容量。

據相關人士透露，三星已經開始向客戶提供Shinebolt樣品來進行品質測試，該樣品的規格為8層24GB。此外，三星還將很快完成12層36GB產品的開發。與HBM3相比，Shinebolt的最巨量資料傳輸速度（頻寬）提升了約50%，可達1.228TB/S。相當於在1秒鐘內傳輸了230部FHD高解析電影（每部容量5GB）

HBM的關鍵在於每層之間的連接方式，三星從HBM生產之初就一直的採用是熱壓縮非導電薄膜（TC-NCF）工藝，而其老對手SK海力士則採用的是品質回流成型底部填充（MR-MUF）工藝。當然，這二者孰優孰劣還是要交給市場來評判。