HBM霸主爭霸戰：三星失誤、中國崛起，誰能主導AI記憶體市場？

長久以來，記憶體晶片在半導體產業中相對低調，總被 CPU、GPU 等邏輯晶片的光芒掩蓋。但近年來，高頻寬記憶體（HBM）的崛起徹底改變了遊戲規則。
例如 SK 海力士在義川工廠量產的 HBM3E，成為支撐大型語言模型（LLM）與 AI 伺服器的關鍵，幫助解決「記憶體牆」問題，大幅提升資料中心效率與效能。

AI 推動記憶體需求翻轉

傳統 DRAM 市場強調「成本優先」，但 HBM 的價值則在於「效能與功耗優先」。這種轉變不僅讓海力士收入暴增，也打破三星長期霸主地位。
根據統計，海力士 DRAM 收入已從 2021 年的 7.5 兆韓元（約新台幣 1,760 億元）飆升至 2025 年同期的 17.1 兆韓元，首次超越三星。

技術突破與專利優勢

海力士能在 HBM 市場突圍，關鍵在於其採用 MR-MUF 大規模回流成型底部填充技術，搭配日本 Namics 提供的獨家材料，成功避免高溫高壓造成的矽裂問題。這讓三星與美光一度落居下風。
也因此，當 OpenAI 的 ChatGPT 帶動 AI 晶片需求暴增，NVIDIA 幾乎把 HBM 主要供應鏈交給海力士，推動其 HBM 收入占比在 2025 年突破 40%。

三星的失誤與挑戰

相較之下，三星錯估 AI 對記憶體的需求，仍專注於智慧型手機世代的策略，導致市佔與收入流失。分析師估計，低估 HBM 潛力讓三星每年損失數百億美元。
不過，三星並未放棄，積極投入 HBM4 開發，計畫結合自家晶圓代工與先進封裝能力，主打「一站式服務」。但外界認為，若單一環節品質不佳，優勢恐怕難以發揮。

中國勢力的崛起

中國長鑫存儲（CXMT）近年在 DRAM 市場快速成長，市佔率從 2020 年幾乎為零躍升至 5%。目前正測試 HBM3 樣品，但受限於美國出口管制與設備瓶頸，距離量產 HBM 仍落後 3～4 年。
即便如此，中國科技巨頭如華為，也正嘗試透過 AI 軟體與「AI SSD」等替代解決方案，降低對 HBM 的依賴。