施振榮押寶新創！Neo半導體宣布 3D X-DRAM通過概念驗證，陽明交大產學合作、挑戰三星/海力士壟斷格局

AI 運算對記憶體的飢渴已讓傳統 DRAM 難以招架。由施振榮投資的新創公司Neo半導體(NEO Semiconductor) 近日震撼宣布，其旗下的 3D X-DRAM 技術已成功通過概念驗證（POC）。

這項突破最令人驚艷之處在於，它不僅證明了立體堆疊記憶體的可行性，更關鍵的是，這項技術能直接利用現有的 3D NAND Flash 生產線進行製造。這意味著廠商不需要為了生產新型記憶體而砸下巨資興建全新的晶圓廠，大幅降低了進入門檻。

在與台灣陽明交通大學及半導體研究所（TSRI）的深度產學合作下，測試晶片在真實矽製造環境中展現了極其強悍的性能表現：讀寫延遲低於 10 奈秒（<10 ns），足以應對高性能計算的嚴苛要求；數據保持力在 85℃ 高溫下超過 1 秒，是傳統 JEDEC 標準（64 毫秒）的 15 倍。前台積電技術長、現任陽明交大資深副校長孫元成博士指出，這項成果在真實矽工藝條件下驗證了架構的魯棒性，為 AI 時代的高密度、低功耗解決方案鋪平了道路。

從 1T1C 到 1T0C：記憶體架構的「NAND 化」轉型之路

回顧半導體發展史，NAND Flash 早已透過 300 層以上的立體堆疊實現了容量爆炸，而 DRAM 卻長期受限於 2D 平面微縮的極限。NEO Semiconductor 的核心思維在於將記憶體「NAND 化」。其研發的「1T0C」（一電晶體、零電容器）架構，利用類似 FBC 浮柵極技術，僅需增加一層光罩即可形成垂直結構，輕鬆達成 230 層以上的堆疊。

這種架構變革帶來的效益是驚人的：目前主流 2D DRAM 的核心容量多為 16Gb，而 3D X-DRAM 則可直接衝上 128Gb，密度增長達 8 倍。更進一步，NEO 預計在 2026 年量產 512Gb 的測試晶片，並在 2030 年代達成單顆晶片 1Tb 的目標。這意味著未來的伺服器記憶體條，單根就能達到 4TB 的恐怖容量。與英特爾已宣告失敗的 Optane（3D XPoint）技術相比，3D X-DRAM 憑藉著更低的程式編寫複雜度與更高的產線相容性，顯然更具勝算。

除了基礎的 DRAM 擴展，NEO 更有野心的計畫是其「超高頻寬記憶體」（X-HBM）架構。在 AI 算力呈指數級增長的今天，傳統 HBM 記憶體正遭遇頻寬與功耗的雙重瓶頸。根據韓國科學技術院的預測，即便是計畫於 2040 年推出的 HBM8，也僅能提供 16K-bit 的總線頻寬；然而，NEO 的 X-HBM 技術號稱已能實現 32K-bit 的超高位寬，且頻寬提升 16 倍、密度提升 10 倍，相當於提前 15 年實現了次世代性能。

施振榮領投的新一輪戰略投資，被視為對台灣半導體生態系與新創技術整合的強力背書。隨著 POC 的成功，NEO 下一階段將聚焦於「陣列級實作」與多層測試晶片的開發。如果 3D X-DRAM 能順利進入量產，這將徹底改變目前記憶體市場被三星、海力士、美光三巨頭壟斷的局面，為 AI 硬體供應鏈注入全新的競爭動能。