鎂光公佈新技術儲存晶片,未來手機容量終將上 1T

鎂光公佈新技術儲存晶片,未來手機容量終將上 1T

或許再過幾年我們手機儲存空間就可以翻倍了。在美國加州正在舉行的 Flash Memory Summit 大會上,鎂光(Micron)正式公佈第一款 3D NAND 晶片

新推出的 3D NAND 與目前手機上使用的 2D NAND 相比,儲存密度大幅提高,而直觀感受就是在體積相同的情況下可以提供更高的容量。

鎂光公佈新技術儲存晶片,未來手機容量終將上 1T

不同於 2D NAND 的平鋪式排布儲存單元,3D NAND 採用垂直的方式立體排布儲存單元,並且因為排列方式的改變,其晶片間的通訊速度也變得更加快速、高效。除此之外,該產品還使用全新的 UFS2.1 標準,這種協議標準在理論上要比目前市面上手機所使用的協議更加快速。

鎂光公佈新技術儲存晶片,未來手機容量終將上 1T

鎂光認為智慧手機的容量將會持續的增長下去,尤其是虛擬現實和串流影片的興起。而據鎂光預測智慧手機的容量將會達到今天 PC 的水平,大約在 2020 年達到 1TB。目前公佈的 3D NAND 晶片擁有 32GB 容量,鎂光方面並未發表 3D NAND Flash記憶體晶片的發展路線圖。

 

鎂光公佈新技術儲存晶片,未來手機容量終將上 1T

使用 Facebook 留言

發表回應

謹慎發言,尊重彼此。按此展開留言規則