摩爾定律還沒走到底!ASML 1 奈米製程光刻機完成設計即將商業化

摩爾定律還沒走到底!ASML 1 奈米製程光刻機完成設計即將商業化

本月中旬,在日本東京的ITF論壇上,與ASML合作研發光刻機的比利時半導體研究機構IMEC公佈了3nm及以下製程的在微縮層面技術細節。至少就目前而言,ASML對於3nm、2nm、1.5nm、1nm甚至Sub 1nm都做了清晰的路線規劃,且1nm時代的光刻機體積將增大不少。

IMEC公司執行長兼總裁Luc Van den hove在主題演講中介紹了公司研究概況,強調透過與ASML的緊密合作,雙方正在將下一代高解析度EUV光刻技術——高NA EUV光刻技術商業化。IMEC公司強調,將繼續把製程規模縮小到1nm及以下。

在到了3nm以下的趨勢,包括日本在內的許多半導體公司相繼退出,聲稱摩爾定律已經走到了盡頭,或者說成本太高,無利可圖。

在日本眾多光刻工具廠商紛紛退出EUV光刻開發階段的同時,半導體研究機構IMEC和ASML一直在合作開發EUV光刻技術,而EUV光刻技術對於超細鱗片來說至關重要。

 

 

製造1nm晶片的EUV光刻機:ASML已完成設計

據稱在當前台積電、三星的7nm、5nm製造中已經引入了NA=0.33的EUV曝光設備。但是,2nm之後則需要更高解析度的曝光設備,也就是NA=0.55。兒在ASML已經完成了0.55NA曝光設備的基本設計(即NXE:5000系列),預計在2022年實現商業化。

不過,這套下一世代的曝光設備,因為光學系統變得更加龐大,使得整套設備的體積將變得非常巨大。

ASML目前在售的兩款極紫外光刻機分別是TWINSCAN NXE:3400B和TWINSCAN NXE:3400C,3600D計畫明年年中出貨,生產效率將提升18%。

 

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