Intel 4製程開始大規模量產，Intel首次採用EUV極紫外曝光技術

Intel官方宣佈，已經開始採用EUV極紫外曝光技術，大規模量產Intel 4製程。這是Intel首個採用EUV生產的製程節點，對比前代在性能、能效、電晶體密度方面均實現了顯著提升。

Intel 4技術首發用於代號Meteor Lake的CoreUltra處理器，將在12月14日正式發佈，面向主流和輕薄筆電。

目前，Intel正在穩步推進「四年五個製程節點」計畫。其中，Intel 7和Intel 4已實現大規模量產，前者用於12/13/14代Core。Intel 3正在按計畫推進，目標是2023年底。

明年上半年，Intel將推出首個採用Inte 3的Sierra Forest處理器，基於E核架構，最多288核心，隨後是同樣Intel 3工藝、P核設計的Granite Rapids。

Intel 20A和Intel 18A同樣進展順利，目標是2024年，將首次採用RibbonFET全環繞柵極晶體、PowerVia背面供電技術。

此外，Intel即將推出面向代工服務客戶的Intel 18A製程設計套件（PDK）。

除了延續現有方案在最關鍵層使用EUV（極紫外光微影製程），Intel 4製程節點有會在互連層中使用EUV，以大幅度減少光罩數量和製程步驟，降低製程的複雜性，更將導入全球第一款量產型高數值孔徑（High-NA）EUV系統。

▲ Intel 4與未來Intel 3製程節點都以FinFET為基礎，Intel 2製程節點則將躍生為以GAA（Gate-All-Around，閘極全環電晶體）技術為基礎的RibbonFET。

▲ 測試生產的Meteor Lake運算單元小晶片就是採用Intel 4製程節點。