三星GDDR7 記憶體顆粒曝光,RTX 5090將首次採用、比GDDR6X 提升了 33%

三星GDDR7 記憶體顆粒曝光,RTX 5090將首次採用、比GDDR6X 提升了 33%

雖然 HBM 記憶體(如HBM3E)在人工智慧資料中心領域佔據主導地位,但 GDDR7 將為包括遊戲 GPU 在內的大部分客戶端市場提供支援,三星在 GTC 上展示了其下一代記憶體。

三星將成為下一代 GDDR7 記憶體標準的主要供應商之一,該標準將成為下一代遊戲 GPU 的主要標準。該公司早在 2023 年就宣佈了開發計畫,並將很快推出速度更快的變體,不過新標準的起點仍將是 32 Gbps 的速度。

三星GDDR7 記憶體顆粒曝光,RTX 5090將首次採用、比GDDR6X 提升了 33%

三星最初推出的 GDDR7 記憶體模組密度為 16GB,每個模組提供 2GB 容量。速度將設定為 32 Gbps(PAM3),並可降低至 28 Gbps,以提高產量和起步階段的整體性能/成本。三星還表示,GDDR7 記憶體的能效將提高 20%,同時工作電壓僅為 1.1V(低於 1.2V 標準)。其他特點還包括,由於採用了更新的封裝材料和最佳化的電路設計,高速執行階段的發熱量降低,熱阻比 GDDR6 降低了 70%。

三星GDDR7 記憶體顆粒曝光,RTX 5090將首次採用、比GDDR6X 提升了 33%

JEDEC 最近發佈了 GDDR7記憶體規格,主要亮點包括:

  • 核心獨立的 LFSR(線性反饋移位暫存器)訓練模式,帶有遮罩和錯誤計數器,可提高訓練精度,同時縮短訓練時間。

  • 獨立通道數量增加一倍,從 GDDR6 的 2 個增加到 GDDR7 的 4 個。

  • 支援 16 Gbit 至 32 Gbit 密度,包括支援雙通道模式,使系統容量翻倍。

  • 通過內建最新的資料完整性功能,包括帶即時報告功能的片上 ECC (ODECC)、資料毒性、錯誤檢查和擦除功能,以及帶命令遮蔽功能的命令地址奇偶校驗 (CAPARBLK),滿足市場對 RAS(可靠性、可用性和可維護性)的需求。

雖然 GDDR7 的規格更快,但這些都要等到 2025-2026 年才能實現。這又讓我們回到了 28 Gbps GDDR7 記憶體顆粒上,NVIDIA下一代GeForce RTX 50系列已將其作為首選產品。預計將命名為RTX 5090,將首次採用新一代的GDDR7。根據爆料顯示,新卡的性能預計將提升近一倍。到目前為止,傳言中提到前三個晶片將使用 GDDR7 ,這意味著入門級 SKU 目前可能會堅持使用 GDDR6(X),稍後在 GDDR7 成為可行的替代品時再轉用 GDDR7。

  • 512 位/28 Gbps/32GB(最大記憶體)/1792 GB/s(最大頻寬)

  • 384 位 / 28 Gbps / 24 GB(最大記憶體)/ 1344 GB/秒(最大頻寬)

  • 256 位/28 Gbps/16GB(最大記憶體)/896.0 GB/s(最大頻寬)

  • 192 位 / 28 Gbps / 12 GB(最大記憶體)/ 672.0 GB/秒(最大頻寬)

  • 128 位/28 Gbps/8GB(最大記憶體)/448.0 GB/s(最大頻寬)

 

 


 

cnBeta
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