三星秀超省電NAND快閃記憶體！功耗狂降96%　AI資料中心救星來了

AI 時代愈演愈烈，誰能把「儲存」做得更快、更省電，誰就更有機會在資料中心市場站穩腳步。三星最近就在這塊丟出一個重量級突破：自家研究團隊成功打造全新的 NAND 快閃記憶體結構，號稱能讓功耗大減超過九成，最高甚至達 96%。

這項成果由三星先進技術研究院（SAIT）領軍，研究也已登上國際頂尖期刊《Nature》。

省電關鍵在材料結構組合：把弱點變優勢

傳統 NAND 快閃記憶體是非揮發性儲存介質，靠往儲存單元注入電子來寫入資料。這套方法隨著記憶體層數越疊越多，能耗自然跟著水漲船高，尤其在大型 AI 資料中心，耗電更是沉重問題。

三星的解法，是把原本被視為「難控制」的氧化物半導體，與具有自持極化特性的鐵電材料重新整合。鐵電材料的特性讓記憶狀態不必一直供電就能維持，等於從最底層降低能耗來源。

官方表示，這套新架構已在實驗中證實能讓功耗大幅下降，並強調是三星內部團隊完全自主研發，共有 34 名研究人員參與。

三星 SAIT 研究員、也是論文第一作者的 Yoo Si-jeong 表示，他們已證明超低功耗 NAND 的可行性，下一步會把目標放在推進商用化。

在 AI 需求持續飆升、資料中心能源吃緊的情況下，能降低儲存裝置功耗的技術自然更受青睞。若最終能量產，這項技術未來可能不只用在伺服器，也會應用在智慧型手機、行動裝置等對續航敏感的產品上。

另一方面，三星近期也持續調整記憶體事業方向。隨著 DDR5、LPDDR5X 和 GDDR7 等產品需求增加、價格走升，公司將把重心放在高附加價值 DRAM，以提升整體獲利結構。

換句話說，在目前記憶體市場回溫的時機點，三星選擇同時端出「技術突破」與「產品策略調整」兩條線並行，意味著下一輪競爭可能會更激烈。