HBM4E 將迎來客製化時代，台積電祭出 N3P 製程打造最強基礎裸晶

AI 運算對記憶體頻寬的需求永無止境，也讓「客製化 HBM」成為半導體廠的兵家必爭之地。台積電近日在荷蘭阿姆斯特丹舉辦的 2025 年 OIP（開放創新平台）生態系統論壇中，首度對外揭露了關於首代客製化 HBM 記憶體的技術藍圖與看法。

根據德國科技媒體 Hardwareluxx 編輯 Andreas Schilling 在社群平台上分享的資訊，台積電的觀點與美光（Micron）商務長 Sumit Sadana 不謀而合，雙方皆認為客製化 HBM 技術將在 HBM4E 世代正式落地並普及，台積電更將此類產品定名為「C-HBM4E」。

在目前的 HBM4 世代規劃中，台積電為 HBM 基礎裸晶（Base Die）提供了兩種不同的製程選項：分別是針對主流市場需求的 N12FFC+ 製程，以及專為追求極致效能客戶設計的 N5 製程。

然而，到了更先進的 C-HBM4E 階段，為了滿足將記憶體控制器（Memory Controller）直接整合進基礎裸晶的需求，同時進一步節省運算晶片的面積，台積電宣布將採用 N3P 先進製程來打造解決方案。

根據台積電官方說法，採用 N3P 製程的 C-HBM4E 基礎裸晶，其能源效率將大幅提升，預計可達 HBM3E 基礎裸晶的兩倍左右。此外，在功耗控制上也有顯著進步，C-HBM4E 的 Vdd 電壓將僅有 0.75V，比 HBM4 的電壓更低，展現出更優異的省電特性。

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