HBM戰火再起！三星HBM4送樣，挑戰美光頻寬極限

三星電子近日宣布，已向全球客戶送交新一代HBM4記憶體樣品，預計將在2026年開始量產。此舉顯示三星在先進記憶體技術領域的持續領先地位。

根據三星近期公布的2025年第三季財報，HBM3E已進入量產階段並銷售給相關客戶，同時HBM4樣品也已同步送交重要客戶。三星表示，其儲存業務表現依舊強勁，先進記憶體產品市場需求旺盛。

三星也透露，2026年其晶圓代工業務將致力於穩定供應新型2奈米GAA產品與HBM4基礎晶片，並計畫在美國德州泰勒市的新廠如期投入營運。這將有助於提升三星在全球半導體市場的競爭力。

HBM堆疊由最多12層DRAM晶片堆疊組成，並透過矽穿孔（TSV）相連，其中可選擇嵌入基礎晶片，提供客製化的邏輯或加速電路，以滿足特殊需求。NVIDIA和AMD等大客戶通常會因為採購量大，而要求客製化功能。

儘管這些晶片不一定具備強大的運算能力，但透過資料處理與邏輯晶片，能提升資料封包傳輸效率、降低延遲，並增強推論階段的效能，使整體吞吐量明顯提升。

目前三星HBM4是否會超越JEDEC標準來滿足NVIDIA等公司的需求，仍有待觀察。美光（Micron）已跳過JEDEC規範，將HBM4的頻寬從標準的2 TB/s和每針8 Gb/s，提升到11 Gb/s，總頻寬提高至2.8 TB/s，比標準高出40%。

預計三星也將持續最佳化其HBM4，以便在頻寬等方面保持市場競爭力，更好地滿足重要客戶的需求。隨著AI和高效能運算需求的持續增長，HBM市場的競爭將更加激烈。

三星HBM4記憶體樣品已送交客戶，預計2026年量產。三星致力於提升HBM技術，滿足AI與高效能運算需求，鞏固市場地位。