三星逆襲 HBM4：率先導入 1c 製程，頻寬達 11Gbps、性能飆升 37%

在 HBM（高頻寬記憶體）市場競爭愈演愈烈的情況下，原本在 HBM3E 世代落後的三星，終於在最新一代 HBM4 記憶體上扳回一城。根據外媒報導，三星的 HBM3E 雖然量產已有 18 個月，但直到最近才正式通過 NVIDIA 的認證，並且早先也已獲得 AMD 的肯定，這也為他們進一步供貨奠定基礎。

SK 海力士領先起跑，三星選擇技術超車

雖然 SK 海力士在 HBM3E 上搶下了先發優勢，甚至已宣布全球首度量產 HBM4，不過他們採用的仍是第五代 10 奈米級 DRAM 製程（1b）。相較之下，三星則直接在平澤的 P5 廠房導入更先進的第六代 10 奈米級 DRAM 製程（1c），搭配內部積累的 4 奈米邏輯製程經驗，實現技術「跳級」。

頻寬達 11Gbps，超越標準 HBM4 規格

在這套新製程下，三星 HBM4 的傳輸速度突破 11Gbps，較標準版本的 8Gbps 提升高達 37.5%。值得注意的是，NVIDIA 近期為了應對 AMD 預計 2026 年推出的 MI450 AI 加速卡，已向供應鏈提出 HBM4 頻率至少需達 10Gbps 的技術門檻。三星如今搶先達標甚至超標，無疑是爭取 NVIDIA 後續訂單的一大籌碼。

目前，三星雖已在技術層面展現逆襲氣勢，但是否真能在 HBM4 世代中搶下 NVIDIA 或 AMD 的大量訂單，還得取決於後續的產能穩定性與價格策略。